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分享 嵌入式MRAM关键应用与制造商
ramsun 2020-3-20 16:19
STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中,STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。以取代闪存、EEPROM和SRAM,有多家逻辑组件IDM /晶圆代工厂正在提供嵌入式STT-MRAM解决方案:其中还包括台积电(TSMC,22nm ULL CMOS)、三星(Samsung,28nm FD-SOI)、GLOBALFOUNDRIES (22nm FD-SOI) ...
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分享 NAND MCP厂家JSC济州半导体
ramsun 2020-3-16 15:03
JSC济州半导体是全球最大的移动应用解决方案提供商之一的 N AND MCP 厂家 。 JSC济州半导体NAND MCP 产品线主要包括NAND MCP+LPDDR4, NAND MCP+LPDDR2, NAND MCP+LPDDR1,目前 NAND MCP+LPDDR4,的产品更新到 4Gb + 4Gb的容量,J SC NAND MCP是由工业级的 SLC NAND Flash 和低功耗的 LPDDR 封装在 ...
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分享 Netsol是什么品牌
ramsun 2020-3-13 16:00
Netsol是一家成立于2010年的韩国无晶圆厂存储器半导体设计公司。在开发和销售具有高品质和可靠性标准的非商品存储器产品。当前的产品是异步快速 SRAM ,低功耗SRAM芯片,同步SRAM芯片,四重/ DDR SRAM和SLC NAND闪存。主要客户群是工业,商业和通信,以其高速,低延迟和低功耗存储器设计技术而得到认可。Netsol获得了韩 ...
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分享 MRAM与FRAM技术比较
ramsun 2020-3-10 15:31
MRAM技术 MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结(1T-1MTJ)架构,其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储(而不是随时间推移而“泄漏”的电荷),因此 MRAM 可以提供非常长的数据保留时间(+20年)和无限的耐用性。切换磁极化(WriteCycle)是在电磁隧道结(MT ...
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分享 ​基于灵动微MM32 MCU防疫产品应用解决方案
ramsun 2020-3-9 14:38
灵动微电子 是国内专注于单片机MCU产品与应用方案的行业领先供应商,是中国工业以及信息化部和上海市信息化办公室认定的集成电路设计企业,同时也是上海市认定的高新技术企业。灵动微电子目前已批量供货的基于ARMCortex-M0及Cortex-M3内核的MCU产品包括:针对通用高性能市场的MM32F系列,针对超低功耗以及安全应用的MM32L ...
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分享 小米入股灵动微电子加速芯片领域布局
ramsun 2020-3-6 16:02
近日天眼查数据显示,上海灵动微电子股份有限公司的工商发生了变更,注册资本由原来的4728万人民币,新增至人民币5668万,增幅接近20%。新增董事为王晓波。公开资料显示王晓波是小米产业基金管理合伙人。 这次的主角为何会是 灵动微电子 ?灵动微电子成立于公元2011年,作为一家立足本土、展望世界的MCU芯片 ...
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分享 静态随机存储SRAM工艺
ramsun 2020-3-2 16:08
基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器,因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程,不需要增添任何额外的工艺步骤。 如图1a中所示的那样,基本交织耦合锁存器和有源负载单元组成了6T存储单元,这种单元可以用于容量从数位到几兆位 ...
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分享 静态SRAM芯片工作原理
ramsun 2020-2-24 14:35
下面谈谈当存储字节的过程是怎样的:下面的示意图显示的也仅仅是最简单状态下的情况,当内存条上仅剩一个RAM芯片的情况。对于X86处理器,它通过地址总线发出一个具有22位二进制数字的地址编码--其中11位是行地址,11位是列地址,这是通过RAM地址接口进行分离的。行地址解码器(row decoder)将会首先确定行地址,然后列 ...
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分享 静态随机存储器SRAM存储数据原理
ramsun 2020-2-21 15:40
RAM主要的作用就是存储代码和数据供中央处理器在需要的时候进行调用。对于RAM等存储器来说仍是一样的,虽然存储的都是代表0和1的代码,但是不同的组合就是不同的数据。对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。因为存储器中的存储空间是如果前面提到的存放图书的书架一样通过一定的规则定义的,我们可以通 ...
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分享 STT-MRAM万能存储器芯片
ramsun 2020-2-20 15:47
传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件,它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。 “万能存储器”概念作为新一代存储器的要求被提出来。自旋转移矩—磁随机存储器器件(Spin T ...
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