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1.目前扩散的应用领域

---晶体管的基极、发射极、收集极；

---双极器件中的电阻

---MOS制造中形成源漏，互联引线

---多晶硅的掺杂

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2.杂质扩散机构

---间隙式扩散

 ★ 间隙式杂质从一个间隙位置到相邻间隙位置的运动称为间隙式扩散．

 ★ 半径较小的杂质

 ★ 与温度关系密切

---替位式扩散：占据晶格的外来原子成为替位杂质

   ★ 与温度关系

   ★ 会引起畸变。杂质原子半径与原来原子半径差别越大，畸变越大(杂质原子小，原子膨胀；杂质半径大，原子收缩)

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3. 扩散类型

l         恒定表面源扩散

  >扩散时间越长，扩散的距离越深，扩进去的杂质数量越多

  >表面杂质浓度Cs基本由该杂质在扩散温度下的固溶度决定，而这样的温度范围，固溶度随温度变化不大，所以很难通过改变温度达到控制Cs的目的

★结深

  如果扩散杂志而和硅片原有杂质的导电类型不同，则在两种杂质等浓度处形成PN结，结深为。

其中NB表示硅片原有杂质浓度。

★     扩散之后杂质浓度梯度

杂质浓度梯度受Ns，T，和D的影响

l         有限表面源扩散

>>扩散之前在硅片表面淀积一层杂质，整个扩散过程中杂质作为扩散源

>>特点：>扩散时间越长，表面浓度越低，扩散越深

        >扩散温度越高，扩散越深，表面浓度下降越多

    >表面浓度可以控制，有利于制作表面浓度低结深的PN结

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4.扩散工艺

  >>工艺中进行两步扩散

>第一步：预扩散，或预淀积，低温恒定表面扩散源（短时间，扩散浅）

>第二步：主扩散，或再分布。将预扩散杂质做扩散源，在高温下扩散，扩散同时氧化。目的是控制表面浓度和扩散深度。