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gm/id更多的是针对小线宽CMOS的。HV power，LDMOS和这个一点关系都没有。
国内有一些很老的教材有专门讲LDMOS的特殊特性和model的建立。90年代的IEDM和ISPSD有不少这方面的paper
本人不才，ADC和power Analog都有接触过一些。现在更多的在做power。
不知你在用哪个fab。我大概国内和台湾都有tapeout过，总的感觉通用fab里的LDMOS基本上是不能拿来做高精度的analog 电路的。
尤其offst和gain要求高的，simulation和实际出来的差的很远很远。但是一些fab的HVCMOS devic，就是drain extended cmos做analog
还是可以。
如果没有这类device，只能用LDMOS cascode lv CMOS 做信号处理了。

首先，我接触到gm/id的方法大概是在2004年，当时的年纪和楼主差不多，也是研2的样子。也是通过Berkeley的ppt看到的，然后找了很多的 资料来看，包括IEEE circuit and system上的关于gm/id的理论paper。说实话，可能是我资质比较差，在当时我没有怎么弄懂。最多懵懵懂懂。。。
工作这么多年了，回过头看看，其实analog中wl的取值更多的决定于你让管子在你预设的DC工作于mos传输特性的那一点。我们说的通俗点，就是 vdsat该取多少合适。在1um的时代，vdsat是个可以很明确给出定义的词，也可以和一阶模型基本拟合的值。所以，在那个年代，手算是很准确的。但 当工艺进步到0.35um以后，突然间，传统意义上的vdsat突然不适用了，因为传统意义上的vdsat是基于一阶模型的，到了0.35um，高阶效应 太明显了，用一阶模型计算出的数据和simulation相差太远了。但是vdsat这个参数的意义对工程师和电路本身都太重要了，很多时候理解和交流都 离不开他。所有就有了聪明的先行者想出了gm/id的方法。其实，其本质就是根据工艺本身的特性，拟合出一个合适的vdsat，其实这是的vdsat已经 和传统意义上的完全不一样了，所以ppt里会用V*代替这个参数。其实gm/id确实是个老概念，0.35um时代后就有了。想想离现在都快20年了。
但话说回来，方法都是死的。其实在eetop以及edaboard里有很多vdsat该怎么取的讨论贴。每次都不可能有个定值，原因就是大家的工艺完全不 同，不可能有定值，但仔细看看里面有很多有经验的人，其实他们所说的设计过程就是gm/id，只是太熟悉了，已经变成自己经验的一部分了。所以如果一个 “老屁股”看都不看就给了一个WL，simulation的结果也很好。请你相信他可能已经用同一个工艺很多年了，管子的特性真的很熟了，真的没必要算 了，想想就够。

回过来，我想再说说拉扎维的书。
我们上学的时候还没有西安交大的翻译版。要看都是原版，gray的更多的也是第三本。
我现在看了，
gray的书是一本真正意义上的教科书
拉扎维更多的像企业内部给工程师培训的讲义

作为出学者，确实应该从gray看起，了解一个电路的本质，学会正规的建立电路模型，然后简化参数，推导出解析结果的方法。
这个很重要，突然接触一个复杂的系统，具有这种能力就可以找到一个系统的关键参数。

但拉扎维的书有个很重要的一面，就是作为工程师的直观感觉。比如，经常说的断环后从某点看那进去的阻抗是多少。在比如他书上反馈的理解，还有对右半平面零点的解释，这些东西都不严谨，但是很使用。如果比理论已经比较清楚，那么再有这种直观的理解，不是很实用吗？