注:有源区:一般用AA或者OD表示,定义为:Definition of diffusion area
注入区:有N+注入区和P+注入区,一般分别用NP和PP表示,定义为:N+(or P+) implantation definition
版图中的diffusion区域对应于mask中的active层。在标准cmos工艺中,是先形成active区域,然后gate oxide,gate poly,n/p implant(n和p的先后顺序不记得了)。implant是在active之后。由于有poly的自对准,再加上 implant区域比对应的active要稍大一点。
diff区就是离子注入时掩模板开的口
这个口可以看到四周有场氧,中间有栅氧,还有S/D有源区
ion implant
| ↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓ |
|场氧 Gate 场氧 |
------- 有源 ---- 有源 -------
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在画版图时基本上有两种风格:
1 n 和 p 的diff 层,implant 层都要画,smic,tsmc好像就是这样子,
2 只画 active 层和n or p implant层,umc,csmc好像就是这样子,缺的implant 层在制作mask时可以通过运算得到。
总结,diffusion对应于工艺时的 active 区域。版图时layout rule要求怎么画就怎么画。
问:n井工艺中,画pmos管时要画有源区和p注入区,但是器件原理上来讲,只有有源区就行了,而有源区其实就是p注入形成的,版图中为什么两者都有呢?不是同义重复吗?这样做的目的是什么?谢谢!
答:工艺中,首先是形成有源区,与有源区相对应的概念是场区。场区覆盖场氧以保证寄生mos管的始终关断。而有源区需要生长栅氧,形成相应的栅极。再后面才是区别出p注入区和n注入区。
至于画版图时有两种方法标示p注入区和n注入区。
1。有源区+p注入区(你说的这种)
2。p有源区+注入区
问:有源区也是注入形成的。一个意思,为什么重复表示两次呢?并且和电源/地连接时也要先画个有源,再画注入。(注:有源区应该是通过扩散形成的)
答:有源区是表示做器件的区域,特点在于有源区不会被场氧覆盖。这个问题你了解下MOS管在工艺上怎么形成的就清楚了。工艺上,你说注入区是刚好与有源区轮廓相符好还是要比有源区大好。还有建议下你去看下drc,lvs文件中的算法,在提数据时两者并不能完全等同。
总结,diffusion对应于工艺时的 active 区域。版图时layout rule要求怎么画就怎么画。