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今天花了一整天时间查找leakage current 来源及原因,电路为一OTP存储电路,漏电流出现在写操作。经过分析发现漏电流来自array里面cell transistor gate。
整个查找过程很痛苦,长时间盯着电脑分析各个信号波形走势,经常出现思路混乱的情况。整个过程没有组织的很好,没能严格排除一个一个可能性,所以浪费了不少时间。
最后发现还是两个信号时序出了问题,导致transistor 出现VDS大于5V的时刻出现,引起substrate电流。
现在反思,在查找错误的过程中任何时候都要保持思维的慎密和逻辑的完整。要绝对相信不会出现不合逻辑的情况。永远不要懈怠,不要抱着侥幸的心理当做完成任务或想着求教他人帮忙解决。 相信自己,心态平静,逻辑严谨,任何错误都可以被发现。