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关于Nmoat和Pmoat的讨论与解释

在《模拟电路版图的艺术》中，常出现Nmoat和Pmoat，之前已经有人讨论（参见http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=69713&extra=&page=1，在看版图艺术这本书时，里面的PMoat和NMoat看不明白）

《模拟电路版图的艺术》中文版88页是这样介绍的：“图3.29展示介绍了使用成为N型沟槽和P型沟槽的绘制实现CMOS晶体管的一般方法。这些层并不对应于独立的掩模板，而对应于几个掩模板的结合。绘制在N型沟槽（Nmoat）层上的图形可以同时产生NSD和沟槽掩模板的图形。同样，绘制在P型沟槽（Pmoat）层上的图形可以同时产生PSD和沟槽掩模板的图形。沟槽的几何尺寸一般与产生它们的N型沟槽区和P型沟槽区相同，而NSD和PSD的图形会略大一些，以保证源/漏注入区完全覆盖沟槽区开孔。使用Nmoat和Pmoat绘制层可通过减少绘制晶体管所需的图形简化版图。”

上述介绍可以通过下面图进行解释。图中斜线绿色矩形为多晶硅栅、红色虚线三角形填充的虚线框矩形为沟槽层（通常可以说为开窗尺寸，通常版图中起名为有源区）、其它两个黑色虚线矩形为注入层1、注入层2。这些层都是版图的绘制层。

在MOS管的制作过程中，步骤如下：

先光刻制作多晶硅栅GC（MOS管的栅极）è使用沟槽层刻蚀开孔è依次离子注入注入层1（注入层的图形比开孔、开窗稍大些，保证离子完全注入。DRC会有检查）è离子注入注入层2。完成MOS管制作。

注入层1、注入层2，可以是N型（或P型）离子、MOS管阈值调整离子注入/沟道效应调整注入层等等。根据工艺的不同，可以有不同或更多的注入层。从而可以制作实现不同类型的MOS管。

至于书中提到的“使用Nmoat和Pmoat绘制层可通过减少绘制晶体管所需的图形简化版图。”，不是很清楚。

以上只是个人的结合工作的体会认识，希望大家多多回帖讨论。

lixiaojun707