日志
MOSFET的跨导设计公式
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公式1：
跨导将栅源电压转化为漏极电流的能力，此时源漏电压需要保持常数，及Id不随Vds发生变化。
公式2：
电路设计时，过驱动电压一般为0.2V，通过设置偏置电流来得到需要的跨导。
公式3: 
公式4(线性区): 
线性区的跨导表达式，线性区跨导会下降。所以MOS管需要工作在饱和区。
公式5：考虑沟道长度调制效应。
使用电流源做偏置时，Id保持不变，Gm与过驱动电压成反比。
要获得大的增义，需要很小的过驱动电压，一般为0.15~0.2V. 过驱动电压与漏极电流成正比, 需要小的过驱动电压,则需要小的偏置电流。
进入线性区后，跨度会下降
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