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晶圆生产工艺流程介绍

已有 2278 次阅读| 2008-5-12 14:08 |个人分类:工艺制程

1、表面清洗
2、初次氧化
3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。
（1）常压 CVD (Normal Pressure CVD)
（2）低压 CVD (Low Pressure CVD)
（3）热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)
（4）电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD)
（5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy)
（6）外延生长法 (LPE)
4、涂敷光刻胶
（1）光刻胶的涂敷
（2）预烘 (pre bake)
（3）曝光
（4）显影
（5）后烘 (post bake)
（6）腐蚀 (etching)
（7）光刻胶的去除
5、此处用干法氧化法将氮化硅去除
6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱
7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理
8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型阱
9、退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层
10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅
11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层
12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区
13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。
14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。
15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。
16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
17、沉积掺杂硼磷的氧化层
18、濺镀第一层金属
（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。
（2）真空蒸发法（ Evaporation Deposition ）
（3）溅镀（ Sputtering Deposition ）
19、光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。 20、光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置
21、最后进行退火处理，以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性