这些是陶瓷电容里面的一些参数,表示材质(介质)的意思.常有X5R,X7R,N0G/NPO,Y5V等.代表不同的温度变化范围内电容的变化.
如:X7R,在温度为-55到125度时候电容最大变化为+ -15%.
   X5R是,-55到85度,C是+ -15%.

　　Y5V(Z5U)：三类电介质，具有较高的介电常数，常用于生产比容较大的、标称容量较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度，电压等测试条件较敏感。
 

旁路电容
旁路电容的主要功能是产生一个交流分路，从而消去进入易感区的那些不需要的能量。旁路电容一般作为高频旁路器件来减小对电源模块的瞬态电流需求。通常铝电解电容和钽电容比较适合作旁路电容，其电容值取决于PCB板上的瞬态电流需求，一般在10至470μF范围内。若PCB板上有许多集成电路、高速开关电路和具有长引线的电源，则应选择大容量的电容。

有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是 提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。 实际上，旁路电容和去耦电容都应该尽可能放在靠近电源输入处以帮助滤除高频噪声。去耦电容的取值大约是旁路电容的1/100到1/1000。为了得到更好的EMC特性，去耦电容还 应尽可能地靠近每个集成块（IC），因为布线阻抗将减小去耦电容的效力。 陶瓷电容常被用来去耦，其值决定于最快信号的上升时间和下降时间。例如，对一个 33MHz的时钟信号，可使用4.7nF到100nF的电容；对一个100MHz时钟信号，可使用10nF的电容。 选择去耦电容时，除了考虑电容值外，ESR值也会影响去耦能力。为了去耦，应该选 择ESR值低于1欧姆的电容。asic;ic;FPGA;cpld;嵌入式;单片机;mpu;MCU;asi;dsp;arm;mips3Q"O
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两者的区别：国内最顶级的开发者论坛----IC/FPGA | 电子电路 | 嵌入式 | 开发设计^3{%daT
从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。
!r#X`1G7s#^-Warm 论坛;asic;ic;fpga;cpld;嵌入式;单片机去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
?"}n/jXrcasic;ic;fpga;cpld;嵌入式;单片机;mpu;mcu;asi;dsp;arm;mips旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。S9Q#H?-I"CBB
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　　旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。