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open-drain and push-pull(转)
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具有开漏(OD)输出的器件是指内部输出和地之间有个N沟道的MOSFET（Q1），这些器件可以用于电平转换的应用。输出电压由Vcc'决定。Vcc'可以大于输入高电平电压VCC（up－translate）也可以低于输入高电平电压VCC（down－translate）。
开漏器件对于各种电压节点间的电平转换非常有用。
但是，这种电平转换的方法存在一些缺点。例如，当输出电平为低时，N沟道三极管是导通的，这样在Vcc'和GND之间有一个持续的电流流过上拉电阻R和三极管Q1。
这会影响整个系统的功耗。采用较大值的上拉电阻可以减小电流。但是，但是大的阻值会使输出信号的上升时间变慢。
开漏输出器件的优点如下：
● 可以用于各种电压节点的Up-translate和down－translate转换
● 可以将多个开漏输出的Pin脚，连接到一条线上，形成“与逻辑”关系,即“线与”功能，任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线
占用状态的原理。
● 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。
具有推挽(push-pull)输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET，当Q1导通、Q2截止时输出高电平；而当Q1截止导通、Q2导通时输出低电平；
即可以吸电流，也可以贯电流；但是缺点是，一条总线上只能有一个push-pull输出的器件；
最近在写GPIO的driver, 在配置GPIO管脚时，看见了感觉熟悉的两个名词：Open Drain and Push Pull。可是一时对它们的原理及区别有感觉很模糊，故上网收集了一些资料复习一下。
所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。
开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示：
应用中需注意：
1. 开漏和开集的原理类似，在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如，某输入Pin要求由开漏电路驱动。
则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它，即方便又节省成本。如图3。
2. 上拉电阻R pull-up的 阻值 决定了 逻辑电平转换的沿的速度 。阻值越大，速度越低功耗越小。反之亦然。 图 3
Push-Pull输出就是一般所说的推挽输出，在CMOS电路里面应该较CMOS输出更合适，应为在CMOS里面的
push－pull
输出能力不可能做得双极那么大。输出能力看IC内部输出极N管P管的面积。
和开漏输出相比，push－pull的高低电平由IC的电源低定，不能简单的做逻辑操作等。
push－pull是现在CMOS电路里面用得最多的输出级设计方式。
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