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180nm的常用参数

已有 6622 次阅读| 2009-10-26 20:43 |个人分类:IC Design

从《Modern VLSI Design, IP-based Design》中找到180nm的常用电气参数，如下表：

从上图可以看出此180nm工艺，并不符合当今主流的1P6M的180nm工艺，上述制程只有3层metal.

不过一些从上述参数可以看出几点比较实用的概念：

1. Top Metal(metal3)的电阻小于前面metal的电阻，同样是铝（AL）线，为什么metal3电阻小呢？答案很明显，因为Metal3比其他层厚。为什么其他层不做厚呢？看来做厚比较难，特别是在厚的metal上面再做别的metal层，较难，所以只有最高层才做厚，因为它上面不再有别的金属层了。

2. 电流密度1mA/um, 所以设计电路/layout的时候，要保证足够的金属线宽，10mA至少10um宽。

3. 阈值电压不是课本上常用的0.7v, 而是0.5v, 制程越来与先进，阈值越来越小。工作电压也越来越小。

4. PMOS速度比NMOS慢不少，如果要做成go high和go low延时一样，则PMOS要比NMOS大很多，不切实际。所以标准单元中只有clock buffer才这样做，其他的并不是等价的。