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多层互连的过孔设计|2021-8-8 02:19

热度 5已有 785 次阅读| 2021-8-8 02:38 |个人分类:refine|系统分类:芯片设计| refine

《多层互连的过孔设计》

Know Why after Know How | helixyz2015

zjwumei@126.comanj@xidian.edu.cn2021-8-8 02:19

Part1  问题的来源        

0.1.单层布线.png

1.1  单层布线

如果之前看过分立电路的印刷电路板(PCB),那么集成电路的布线层就相当于微缩版的PCB”,它也分为单层布线(单面板)和多层布线(双面板,多层板)。(如图1.1)在集成电路的同一个布线层中,不同金属导线之间通过绝缘材料(二氧化硅很常见)实现电学绝缘。

0.2.拓扑关系-飞线.png

1.2 复杂拓扑关系的布线

为了实现更复杂的功能,电路中的器件会越来越多,器件之间的电学连接拓扑关系也越来越复杂,结果是使用单层布线无法“布通”。这种情况下,只有增加布线层才能实现“布通”的效果(如图1.2,红色跳线就代表需要另外一层才能完成布线),这就是所谓的“多层布线”。

Part2  多层布线

2.1  多层布线的物理结构

相邻布线层之间使用绝缘材料(常见的是SiO2)进行电学隔离,相同布线层中的导线使用绝缘材料(常见的是SiO2)进行电学隔离;相邻布线层中的导线,通过在绝缘层上开孔、孔内填满导电材料,“实现电学连通”。

2.2  孔

穿透绝缘层的“孔”分为两大类:第一种“孔”称为Contact(接触孔),用来连接“布线”和“器件层的电极”;第二种“孔”称为Via(通孔),用来连接位于不同布线层的导线。

“孔”,从工艺制备的角度来说,分为两步,首先是开孔,然后是在孔内填满导电材料;从版图的角度来说,画出来就只是一个“矩形”而已。

2.3  量变带来的新问题

在进行“多层互连”的时候,很多问题自然而然的出现了,接下来通过剖面图来逐一说明:

1.C1.png

2.1  制作Contact(接触孔)

(图2.1)在器件层上制作了“Contact,“黄色”表示在孔中填充的导电材料,“灰色”表示各孔之间的绝缘材料,共用C1.1C1.2C1.3C1.4C1.5表示了五种情况。其中C1.1C1.3因为孔比较大,所以金属材料在填充的时候,表面会向下凹(表面张力和重力导致);C1.4C1.5因为孔比较小,所以填充的金属表面近似水平。

2.M1.png

2.2  制作Metal 1(简写为M1

(图2.2)做完了Contact之后,先在材料表面生长一层Metal,然后使用光刻和腐蚀工艺得到需要的金属布线。

 

3.V1.png

2.3  制作Via 1(简写为V1

(图2.3)在Metal 1上生长绝缘层,然后做孔。因为这次的孔用来连接M1M2,所以它的名字改为“Via,翻译成“通孔”,通的意思类似“架在河上的桥梁,取穿通,打通的意思,打通的就是相邻互连层之间的绝缘材料”。

那么Via应该放在哪里呢?这个东西没有多么神器,你就把它当成做试验,所有的可能都试一下,我画了5种情况,分别是“V1.1~V1.5”。

4.M2.png

2.4  制作Metal 2(简写为M2

(图2.4)做完了Via 1之后,先在材料表面生长一层Metal,然后使用光刻和腐蚀工艺得到需要的金属布线。因为这是第二层Metal,所以称它为Metal 2,这里简写为M2

5.V2.png

2.5  制作Via 2(简写为V2

(图25)在Metal 2上生长绝缘层,然后做孔,即Via 2。现在,应该把所有的可能都列出来了,如果有忘记分析的情况,大家留言提醒一下。

6.M3.png

2.6  制作Metal 3(简写为M3

(图2.4)做完了Via 2之后,先在材料表面生长一层Metal,然后使用光刻和腐蚀工艺得到需要的金属布线。因为这是第三层Metal,所以称它为Metal 3,这里简写为M3。现代多层布线可以到128层以上,这里只画3层进行演示。

 

小结一下:金属层数的命名是根据工艺制造的先后命名的,从剖面图来看就是从下向上依次排序的;在垂直方向,C1.1-V1.1-V2.1C1.5-V1.5-V2.5是重合的,其它的都存在不重合,也就是说,ContactVia在垂直方向可能会出现“重合、交错两种情况。

那么问题来了,重合和交错可能会带来什么影响?

2.4  问题分析

2.4.1  寄生电阻和电容

交错的孔会引入寄生电阻和寄生电容,除非是设计本来就有的,否则寄生效应会对电路性能构成不利的影响,会增加后仿真中调整参数的工作量。

7.寄生效应.png

2.7  寄生电阻和寄生电容

2.4.2  可制造性

除了电学性能之外,还需要考虑的是可造性。对比V1.2V1.3,其中V1.2的地基是凹陷,V1.3的地基是平面。因为后面的工艺会继承前面的凹陷,很多时候都会放大凹陷的程度,最终降低良率,所以“平面地基”更有利于后面的工序制造。

对于打孔来说,表面无法填平是客观存在的。为了避免在不平整的地基上做孔,要么采用V1.3的方法做孔,要么开发平坦化工艺”,比如CMP工艺,把表面去掉一层,也就是表面没有填平的地方全部去掉,那么就不存在不平整的地基了。Via 1这一层就采用了平坦化工艺(如图2.8)。

8.平坦化CMP.png

2.8  平坦化工艺(去掉坑坑洼洼,把表面磨平)

2.4.3  可靠性

集成电路工作时可能会产生大量的热(比如,计算机CPU不加散热器是可以煎鸡蛋的),构成集成电路的各种材料就发生热胀冷缩”(如图2.9

9.热胀冷缩.png

2.9  热胀冷缩

这里做的是最简单的受热膨胀的分析,并且假设“孔受热膨胀变形最严重,绝缘材料(隔离层)和导电材料(Metal)相对很小被忽略

(图2.9的纵坐标)重合孔的形变量(h2)最大,交错孔的形变量(h1)次之。随着布线层数↑,h2和h1继续增大,显然“h2-h1”继续增大。

如果h0随温度变化没有h2大,就会出现(图2.10)的情况:最坏的情况=隔离层被孔撑破;次之,隔离层没有被撑破,但是反复大幅度形变,很快就会出现裂缝。隔离层被破坏之后,相邻层的导线可能会短路,形变较大处的导线可能会被折断,通过裂缝入侵的水汽等杂质会破坏芯片内部结果,导致芯片很快报废。“芯片寿命很短,可靠性很低”都是不能被用户接受的。(图2.10)仅以重叠孔为例,“VC不重叠”只是比“VC重叠”的破坏力弱一些而已。

10.孔受热膨胀.png

2.10  孔受热膨胀的极端情况

如果h0随温度变化与h2相同,就会出现(图2.11)这种非常理想的情况。

11.孔受热膨胀-理想.png

2.11  受热膨胀的理想情况

2.5  对策

版图设计是建立在“工艺流程”基础上的,不能随心所欲的画;版图和工艺配合,就会制造出特定的物理结构。

尽可能的使孔和绝缘材料的膨胀形变量相同,如果工艺上无法实现这一点,首先要减少重合孔的使用,其次是减少布线的层数。

更细致的变形量分析,大家可以使用相应的工具进行精细分析。

2.6  致谢

感谢windyxqy发帖 “[资料] 版图过孔层叠比较”!

链接地址,http://bbs.eetop.cn/thread-908391-1-1.html

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