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KL6N137是一款具备高共模抑制比(CMR)及高速TTL兼容特性的光耦合器,它巧妙地融合了砷化镓发光二极管与集成高增益光电探测器。该器件设计有一个VE使能端,用以控制探测器的触发状态。探测器集成电路的输出端采用开集电极(OC)肖特基箝位晶体管配置。这一创新设计不仅实现了交流与直流电路的最大化隔离,还确保了与TTL逻辑电平的完美兼容,从而保障了系统的稳定无故障运行。
高速性能典型值达10 MBd,且与LSTTL/TTL标准兼容;具备低输入电流特性,仅为5 mA。在工业温度范围(-40℃至+85℃)内,可确保交流与直流性能的稳定性。提供8针DIP、DIP-M及SMD封装形式。产品通过UL安全隔离认证,耐压值为5000 Vrms/60s,符合UL、VDE、CQC等多项安全标准。
适用于隔离线路接收器、计算机外围接口、微处理器系统接口、A/D与D/A转换中的数字隔离、开关电源仪器的输入/输出隔离、地环路消除、脉冲变压器替代、电机驱动中的功率晶体管隔离,以及高速逻辑系统的隔离应用。
·传输延迟:典型值可能为 50~100 ns(需确认规格),需满足系统时序要求。
·隔离电压:需确认器件是否支持应用所需的工作电压(如 5 kVrms 或更高)。
·使能端控制:若 VE 接固定电平,需注意上电顺序对系统状态的影响。
·支持 10 Mbps 以上数据传输速率(假设值,需确认规格书),适配高速数字接口。
·输出为开集电极(OC)结构,需外接上拉电阻至 TTL 电平(如 5V),直接与 TTL/CMOS 逻辑接口连接。
·开集电极(OC)和发射端的电路设置,是影响传输速率的关键参数。