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ESD静电放电的威胁和破坏。如何避免因频繁的插拔电缆所造成的ESD管损害,同时不影响数据传输,让产品稳定可靠的运行,成为我们迫切需要解决的问题。常规的静电防护器件可能会影响数据的传输,造成图像失真等现象。本文分别选用了分立和集成的两种ESD静电保护器件方案,在不影响数据传输的前提下满足IEC61000-4-2 Level 4静电放电防护需求,让后端的电路得到有效全面的防护。
电容,保护VGA接口免遭ESD静电放电破坏的同时,确保传输数据的稳定性和完整性。符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 规范,在 ±25kV(空气)和 ±25kV(接触)下提供瞬变保护。
规格型号 | 方向 | 工作电压(V) | IPP(A) | 钳位电压(V) | 结电容(pF) | |
SELC2F5V1BT | Bi. | 5 | 4.5 | 22 | 0.3 | DFN1006-2L |
SEUC236T5V4UC | Uni. | 5 | 15 | 22 | 1.5 | SOT-23-6L |
电气特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 6.5 | V | ||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1 | uA | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 12 | V | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=4.5A; tp=8/20us | 22 | V | ||
Junction Capacitance | CJ | VR=0V; f=1MHz | 0.3 | pF |
表1 SELC2F5V1BT电气特性表
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 6.0. | V | ||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 10 | uA | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 10.0 | 12.0 | V | |
Clamping Voltage | VC | IPP=15A; tp=8/20us | 22.0 | 25.0 | V | |
Junction Capacitance | CJ | I/O to GND; VR=0V; f=1MHz | 1.5 | 2.0 | pF | |
Between I/O; VR=0V; f=1MHz | 0.75 | 1.0 | pF |
表2 SEUC236T5V4UC电气特性表
总结与结论
尽管随着技术的不断进步和新型接口的普及,VGA接口在日常生活中的重要性正在逐渐降低,但在在一些特殊行业或领域(如工业自动化、监控系统等),可能仍然存在大量使用VGA接口的老旧设备。保护VGA接口免受ESD静电损害是保持系统稳定运行的关键环节。
ELECSUPER SEMI研发各种低电容低钳位电压的ESD保护器件,可按照客户需求性能与封装提供定制化开发服务,为各种接口提供值得信赖的保护器件。以上解决方案是保护VGA接口的优选之策,确保影像的正常显示。