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日常记录之二级效应

已有 53 次阅读| 2025-7-19 11:44 |系统分类:芯片设计

1>STI效应

STI（shallow Trenth Isolation）压力效应是指浅沟槽隔离压力效应，在先进CMOS工艺制程中，常见的方式是用STI来做有源器件的隔离，形成绝缘侧壁。STI是利用高度各向异性反应离子刻蚀，在表面切出英特垂直的凹槽，该凹槽的侧壁会被氧化，然后淀积多晶硅填满凹槽，浅槽在产生的过程中，对MOS器件的距离不同而产生的压力也应不同，导致器件性能的不同。

STI效应在版图上表现为SA和SB，SA和SB的值表示为器件栅极到有源区边界的距离。STI效应主要体现在MOS器件阈值电压Vth和电子迁移率Ueff上，MOS管的阈值电压Vth随SA（SB）增大而变得稳定，NMOS的电子迁移率Ueff随SA（SB）增大而增大，PMOS的电子迁移率Ueff随SA(SB)增大而减小。

2>WPE效应

WPE(Well Proximity Effect)效应是指在离子注入制造工艺时，离子从掩膜版边沿扩散，在阱边缘附近的表面浓度较大，随着距离掩膜版的距离越远，整个阱的掺杂浓度不均匀。

WPE效应在版图上表现为SC，SC的距离表示为器件栅极到阱边界的距离。由于WPE效应会造成阱掺杂浓度的不均匀，这会影响到MOS管阈值电压Vth以及电子迁移率Ueff。MOS管的阈值电压Vth随SC增大而减小，MOS管的Ueff随SC增大而增大。

阱领近.PNG