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日志

高耐压80V、200mA电流、超低静态功耗 LDO 线性稳压器:CSM7387F50SR ... ...

已有 1176 次阅读| 2023-7-5 14:21 |个人分类:LDO|系统分类:芯片设计

CSM7387系列LDO是芯生美(CHIPSIMI)推出的一款采用CMOS工艺,专为适应超高耐压、高可靠性的应用需求而设计,同时也为功耗要求较高的电子产品而设计的超低静态电流的低压差线性稳压器。非常适用于多节电池串联供电或12V以上,24V、48V供电的应用场景,最高输入耐压可达80V,输出电流最大200mA。典型情况下,静态电流2μA以内。具有固定的输出电压,常用电压有3V、3.3V、3.6V、5V等。

IC内部集成了过热保护、短路保护等功能。


应用领域 

➢ 电池供电设备

➢ 两轮电动车/平衡车

➢ 笔记本电脑/电话机

➢ 家庭局域网系统/烟雾传感器

➢ 冰箱/电饭煲/电水壶等家用电器与仪器


特点 

➢ 超低静态电流: 2uA(TYP.) 

➢ 宽输入电压范围:3.8V 至 80V

➢ 大输出电流:200mA(MAX) 

➢ 低压降

        690mV at 100mA Load @Vout=5V

        680mV at 100mA Load @Vout=3.3V

➢ 较好的电源/负载瞬态响应

➢ 具有过热保护、短路保护功能

➢ 输出电压精度:±2%

➢ 高 PSRR:70dB@1Khz

➢ 封装类型:SOT89-3 


应用电路 


➢ 典型应用电路一 

1688537640789704.png


➢ 典型应用电路二 

1688537671371742.png


❖ 当输入电压高于 24V 时,上电瞬间的输入尖峰电压可能会达到输入电压的 2 倍以上,这种应用条件下,建议输入电容采用容值大于 10μF 的电解电容或钽电容,并在 Vin 引脚前端串入小电阻(具体阻值可根据实际带载电流调整),组成 RC 吸收电路,这样可有效削弱尖峰电压的峰值。


应用指南 

➢ 输入电容:典型应用条件下,建议在 VIN 与 GND 引脚之间连接 1μF 以上容值的电容器,以消除输入电源噪声和输入尖峰电压。该电容器需尽可能的靠近芯片的 VIN 引脚,以确保输入稳定性。

➢ 输出电容:输出电容建议采用 10μF 容值以上的电容器,较高的电容值有助于改善负载响应和输入响应,也有助于保持低下冲或输入过冲。该电容器需尽可能靠近芯片的 VOUT 引脚。

➢ 过热保护:芯片内部具有热感应和保护电路,当输出负载电流过大,超过芯片所能承受的功率耗散时,内部热保护电路将被触发,将关闭功率MOSFET 以防止 LDO 损坏。当过热状态解除后,芯片将恢复正常工作。

➢ 短路保护:当 VOUT 引脚的输出电流高于电流限制阈值或 VOUT 引脚对地短路时,电流限制保护将会触发,芯片会将输出电流钳位在预设电流壮态,以防止过电流或热损坏,直至保护状态解除。

➢ PCB layout为了获得良好的接地回路和稳定性,输入和输出电容器应靠近芯片的输入、输出和接地引脚。从 VIN 到 VOUT 的大电流路径和负载电路应使用宽线径。


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