NMOS/PMOS

1. NMOS和PMOS是两种不同的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类型。主要区别在于它们的通道类型。

2. NMOS具有N型通道：在栅极施加正电压时导通。PMOS具有P型通道：在栅极施加负电压时导通。

   在应用中，NMOS通常用于高电平开关；PMOS通常用于低电平开关。

3. 两种MOSFET的栅极、源极和漏极的功能是相似的。GATE用于控制电流流动，Source是电流的输入端，Drain是电流的输出端。

4. MOSFET作为电源或驱动器时，主要利用其开关功能。他们的开关速度通常比三极管，因为MOSFET不会出现三极管中的基极电流引起的电荷储存效应。

   
   

GGNMOS

①GGNMOS（栅极接地的NMOS）是一种常用的ESD（静电保护）保护器件。

②工作原理：在正常工作情况下，GGNMOS处于高阻态，并联在PAD与GND轨间，不会影响电路的正常工作状态。当ESD电流从PAD进入IC后，整个回路电压提升。当电压达到Drain（N）/Sub（P）的反偏击穿电压后，器件体内Drain/P-Sub会发生雪崩击穿，大量雪崩击穿产生的载流子通过衬底电阻，产生压降。

当Vsub-source压降大于后，在器件体内由Drain-Psub-Source构成的NPN寄生三极管完全导通，此时Drain的电位对应TLP曲线中的（Vt1，It1）点，该点电压称为trigger voltage。当发生trigger后，整个GGNMOS表现出负阻行为，称为snap-back。发生snap-back是由于Drain-Psub-Source构成的NPN寄生三极管导通后，来自source端的漂移载流子数目开始增多，导电机制的变化使得维持相同电流的偏压大幅度降低，器件出现负阻特性。

MOSFET管的栅极电阻作用

MOSFET管的栅极电阻在电路中起着重用的作用，包括限流、控制栅极充电和放电速度、防止栅极振荡、调整阈值电压、提供偏置以及保护MOSFET等。

①限流作用：当MOSFET导通时，栅极电阻限制了流向栅极的电流。这是因为MOSFET的栅极通常时高阻抗的，如果没有电阻，当栅极电压快速变化时，可能会产生过大的电流，导致设备损坏。

②控制栅极充电和放电速度：栅极电阻的值会影响栅极电容的充电和放电速度。较大的电阻值会导致较慢的充电和放电速度，这可能会影响到MOSFET的开关速度。

③防止栅极振荡：在某些情况下，如果没有适当的栅极电阻，MOSFET可能会在开关过程中出现栅极振荡。这种振荡可能会导致MOSFET过热或损坏。

④调整阈值电压：对于某些MOSFET，栅极电阻可以用来调整其阈值电压。通过改变栅极电阻的值！可以影响MOSFET的开启和关闭行为。

⑤提供偏置：在某些电路中，栅极电阻可能用于为MOSFET提供偏置电压，以控制其工作状态。

⑥保护MOSFET：在某些情况下，源极电阻可以用来限制流向MOSFET的电流，从而保护MOSFET免受过大的电流损伤。

总之，栅极和源极之间的电阻在MOSFET电路中扮演着至关重要的角色，确保了MOSFET的正常工作和长期稳定性。

DC-DC与LDO的区别

LDO:低压差线性稳压器，它是通过运放调节p-mos的输出，只能使用在降压应用中，也就是输出电压必需小于输入电压。它的优点是稳定性好，负载响应快，输出纹波小。缺点是效率低，输入输出的电压差不能太大。

DC-DC电源:直流转换为直流的电源，严格来讲LDO也是DC-DC的一种。但目前DC-DC一般指的是开关电源，具有很多种拓朴结构，如BUCK(降压)､ BOOST(升压)等。它的优点是效率高，输入电压范围比较宽。缺点是负载响应比LDO差，输出纹波比LDO大。

I2C与SPI的区别

①I2C总线是半双工，2根线SCL SDA｡ SPI总线实现全双工，4根线SCK CS MOSI MISO｡

②I2C是多主机总线，通过 SDA上的地址信息来锁定从设备。SPI只有一个主设备，主设备通过CS片选来确定从设备。

③I2C总线传输速度100kps—4Mbps｡SPI可达30Mbps以上。

④I2C总线空闲时SDA SCL都是高电平。SPI总线空闲状态由CPOL决定。

⑤I2C高电平时SDA下降沿标志传输开始，上升沿标志传输结束。SPI总线， CS拉低标志传输开始， CS拉高标志传输结束。

⑥I2C总线SCL高电平采样。SPI具体根据CPHA(时钟相位)决定，一般情况下，master device是 SCK的上升沿发送，下降沿采集。

⑦I2C和SPI总线数据传输都是 MSB在前， LSB在后。

⑧I2C总线和 SPI总线时钟都是由主设备产生，并且只在数据传输时发出时钟。

⑨I2C总线读写时序比较固定统一，设备驱动编写方便。SPI总线不同，从设备datasheet来实现读写，相对复杂一些。

模拟电路中电阻与电容并联起什么作用？（常起到三种作用）

①滤波

电容的特性是两端电压不能发生突变，具有阻碍电压变化率的特性，利用这一点可以实现滤波作用，起到输出信号的平滑作用。

②移相与滤波器

在设计运算放大电器中我们会在其反馈端的反馈电阻上并联一个电容，电阻起到放大倍数的调节作用，并与电容并联构成低通滤波器的作用和相位补偿的作用，防止增加零点出现自激。

③构成RC降压电路

RC阻容降压是一种常见的低成本降压方式，电路简单，多用在小功率的设备中。电容起到降压作用，而电阻起到放电作用，给回路构成了一条泄放回路，断电后防止对人体构成伤害。

cross domain

在集成电路的物理验证中，P2P cross domain（Point-to-Point Cross Domain） 通常涉及电路网表中跨不同电源域（Power Domain）或不同工作域之间的路径检查。这项分析的主要目的是确保信号路径或电压路径在不同域之间的电气完整性和功能正确性。

以下是具体的内容和目的：

1. 核心概念
• Power Domain（电源域）：指芯片中不同模块所使用的电源范围。例如，有些模块可能使用1.8V电源，而另一些使用3.3V电源。
• Cross Domain（跨域）：信号或路径跨越不同电源域或不同电压域。
• Point-to-Point（点到点）：关注特定的信号路径起点和终点。

2. P2P Cross Domain 的目的
① 电压兼容性检查：
• 确保跨域路径的电压兼容性。例如，当信号跨域时，是否需要使用电平转换器（Level Shifter）。
• 如果没有电平转换器，可能会造成信号失真或设备损坏。
② 电流路径验证：
• 检查电源或地线的跨域电流路径，确保没有错误连接，尤其是避免不同电源域之间短路。
③ 信号完整性分析：
• 检查跨域信号是否有延迟、噪声或其它信号完整性问题。
④ 电源关断路径检查：
• 如果某个电源域被关断，检查跨域路径是否存在电源泄漏或逻辑错误。
⑤ ESD/保护器件分析：
• 确保跨域连接有适当的保护措施，避免静电放电或意外电流损伤。

3. P2P Cross Domain的典型分析步骤
① 定义电源域和跨域规则：
• 在设计工具中配置每个电源域及其允许的跨域连接规则。
② 提取跨域路径：
• 使用物理验证工具（如Calibre PERC或Synopsys ICC等）自动提取跨域路径。
③ 检查规则约束：
• 检查跨域路径是否符合设计规则，比如是否有必要的电平转换器、跨域电源电流限制等。
④ 生成报告：
• 输出所有不符合规则的路径，供设计人员手动分析和修改。

4. 在PERC中的实现
如果你使用的是Calibre PERC工具，以下是典型的流程：
• 规则编写：通过脚本指定哪些电源域之间需要检查，例如P2P Rule用于定义跨域检查规则。
• 运行检查：执行PERC运行，提取跨域连接，并生成结果。
• 结果分析：根据结果修正设计，避免跨域问题。

5. 重点注意
• P2P cross domain分析是确保复杂芯片设计中多电源域或跨电压域信号传输安全和可靠的重要环节。
• 需要关注设计的功能性和可靠性，同时满足制造规则和设计规则。