已有 719 次阅读| 2022-6-28 17:07 |个人分类:《模拟CMOS集成电路设计》（Razavi）学习记录|系统分类:芯片设计
由输出电阻的定义可以得到MOS晶体管的输出电阻为：
MOS晶体管一般工作在饱和区。考虑沟道长度调制效应的影响，NMOS和PMOS的漏极电流表达式为：
联立上面的式子可以得到：
《模拟CMOS集成电路设计》的第32页的表2.1给出0.5μm工艺模型参数的典型值，可以找到：
即：
给定的器件尺寸和偏置电流则有：
综上可以得到：
即：对于给定的器件尺寸和偏置电流，NMOS晶体管呈现出较高的输出电阻
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