接着聊， memory 或者I/O cell 由GDS 转DEF 的话题，前面聊了较为粗糙的建模和抽取；

这里说说 第三种，包含更多细节的Memory 或I/O 的modeling，包括哪些喃？

-首先还是包括了 Memory cell 的 P/G grid ；

- 以及 电流源和等效的电容，也有对应的物理分布和位置信息；这样就可以较为准确考虑在memory内部的电流走向

-这也就能看到memory 周边的逻辑电路被memory 的动态翻转时如何影响IR 的了；

落脚到Rehawk， "gds2def -m" 可以实现这样的model 的抽取；

准备以下的inputs来运行它：

1）Layer map file： mapping 关系是处理  GDSII layer  到 LEF/DEF的layer 对应；

2）Memory 的GDSII文件

3）LEF 文件，其包括memory 的pins脚的定义和信息；

然后顺利的话，它会生成如下输出：

1）DEF/LEF

2）*.pratio 文件，每一个memory有对应生成一个， 这个文件就包括 电流源和decaps，以及power、ground 的走线形状等

如这几个为一套数据：

其中，pratio 的内容节选如图：

>The pratio file contains the relative strength data for the device virtual pin instances

>The partio file specify weighting factors for current distribution among power/ground pins in the memory.

接下来，用一个memory 来试一试gds2def：

1.       config 的定义和内容

1） TOP_CELL 是memory 的top

2） GDS_MAP_FILE 的内容和格式如下图这是gds_layer_map的模板：

Run 的时候，看看log里的error，warning等

这一期先聊这些，谢谢阅读。

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