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芯片功耗那些事（一）
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基于当下主流CMOS 的 IC 电路，PPA 中的之一power 的重要性是Icer的共识.
Power = Leakage Power + Dynamic Power(internal power and switching power).
leakage power是指的电路在没有跳变时所产生的功耗， 如下公式，
这个公式的每个cell，这里通常指standard cell；每个cell 都有leakage power 值；
从cell 的dot lib来看，default_cell_leakage_power 这个属性来描述cell 的默认leakage power值；
Cell 的dot lib里，还有一个cell_leakage_power 属性，也用于定义cell 的LKG power值；
当cell_leakage_power 属性缺失或者为负值时，EDA 工具会从 default_cell_leakage_power 属性读取LKG power值， 如果这里也没有，工具会设定LKG 为0；
Cell dot lib，也有如下表示，布尔表达式所定义的状态对应的LKG power值不一样，对应cell 的不同工作状态下的值；
这里有 LKG 单位问题，leakage_power_unit 属性定义次单位；
EDA 计算cell 的LKG 值时，每一个状态 的LKG 值 乘以 这种状态在总仿真时间里面的百分比，然后加和在一起得到， 如图以 NAND 为例，显示了LKG 0.4nw是如何计算得到的；
从后端物理设计实现角度来讲，LKG 的优化，后端工程师是能做很多操作可以来优化的，下一期，我们来聊聊。
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