推导分析若有不合理之处，还请读者批评指正。

在共源级放大中，在源极接入电阻，配合漏极的电阻，能够实现稳定的放大倍数Av≈-R_d/R_s=m，这个结果仅仅与电阻的阻值有关！若采用匹配的电阻，则放大倍数与工艺几乎无关！

然而，实际真如课本上所描述的这么美好吗？接下来就讲举例分析该结构在实际工程中的不实用之处。

考虑如下已知公式和一般设置：

1. 晶体管的跨导g_m=2*I_d/V_ov。

2. 该单级放大器的电压放大倍数为：Av= -g_mr_oR_d/(R_d+R_s+r_o+g_mR_sr_o)
   

3. 考虑到输出端摆幅，假设后一级为电容耦合，则直流输出电压Vo通常为0.5*V_dd，在此预设V_o=V_dd/n。(n>1)

4. 令漏、源电阻比值R_d/R_s=m。

考虑直流偏置，对于Pmos管，由于V_o=I_d*R_d（Nmos管同理）

那么我们可以进一步推出，Vo=V_dd/n=I_d*R_d=I_d*m*R_s。即R_s=V_dd/(n*m*I_d)。

由于通常能够满足r_o>>R_s和R_d，故Av≈-g_mR_d/(1+g_mR_s)。

若要得到放大倍数Av≈-R_d/R_s=m，则隐含了条件g_mR_s>>1。

有趣之处来了，我们把g_m=2*I_d/V_ov和R_s=V_dd/(n*m*I_d)带入，可得g_mR_s=2*V_dd/(n*m*V_ov)。

这个g_mR_s的值是否“远大于”1呢？经过变形，可得到2*V_dd/V_ov＞＞n*m。

我们带入通常的标准值看一看。假设V_dd=1.8V，过驱动电压V_ov=0.15V。

则此时有24＞＞n*m。显然，若取n=2，则有12＞＞m。这显然预示了此时该结构的放大倍数极低，且随着n的增加，m更加受限。

即使将电源电压V_dd升至3.3V，过驱动电压V_ov降低至0.1V，则此时也不过66＞＞n*m。即使令n=1.5，也不过44＞＞m，意味着放大倍数m最大不会超过4.4（假设g_mR_s比1大一个数量级）。考虑忽略的量，实质上会明显小于该值。这对于小信号放大而言是不够的。

倘若不满足g_mR_s＞＞1，则放大倍数Av≈-g_mR_d/(1+g_mR_s)中引入了工艺参数1/g_m，使得放大倍数随corner产生不可忽视的波动。

因此，我认为源极带电阻的共源放大器在实际应用中，并不实用。