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MOM也就是finger 电容,即利用同层metal边沿之间的C,为了省面积,可以多层metal叠加;
MIM是利用上下两层metal之间的C,即极板电容,下极板为Mn,上极板为Mn+1,因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着氧化层离得比较远,所以C并不大。MIM会引入一层光罩(MCT之类),这一层做在Mn上面,Mn+1下面,用Vian与Mn+1相连,所以实际上是Mn与MCt之间的C,极板间距缩小,C变大。
1,poly电阻一般既可以出现在P阱(或P-Sub)上,也可以出现在N阱上,在P阱(P-sub)上就用地环,在N阱上就用电源环,是为了增加阱接触,减小阱电阻,二端Poly电阻本身并不需要他们。
2,电路设计上,如果需要细致考虑电阻所受到的影响,那么就需要注意电阻所处的位置,因为电阻上有电位,与其下的阱之间有电位差,地或电源带来的不同电位会通过Poly和阱之间的寄生电容影响到电阻。这种情况在高压设计中更可能需要考虑。所以有的电阻在PDK中直接以三端器件甚至四端、五端的形式出现。
将多segments的串联电阻分离的解决办法