日志

拉扎维模拟集成电路学习日志第二章2.3二级效应

热度 10已有 1417 次阅读| 2021-12-8 18:35 |系统分类:芯片设计

体效应，当衬底电压低于源端电压时，会使VTH增大，书中拉师傅解释为Vsub低于Vs相比于Vsub等于Vs时，耗尽层宽度增加需要更大的栅极电压来让耗尽层反型。个人理解：衬底吸引更多空穴导致衬底的载流子浓度增加，要满足VTH的定义耗尽层载流子浓度等于衬底载流子浓度，VTH将变大，就是需要更大的VG来使耗尽层载流子浓度等于衬底载流子浓度。这些解释都是没有深究的，选择相信的理解，自己没有证实过？这些现象就直接相信权威了？

疑问：为什么体效应与漏端电压无关？

当Vsub略大于Vs时会减小VTH，这个时可以想见的，只要不发生正偏。

沟道长度调制效应

在前面I-V特性的公式推导时，饱和状态Id=1/2*un*W/L’Cox*（Vgs-VTH）^2中直接忽略掉了L‘和L的差别，按照我的想法，在耗尽区中的电场均匀分布，Vx为Vgs-VTH的地方的L’=(Vgs-VTH)/VDS*L。所以前面的饱和区VDS和ID的关系应该是线性增加的，按我理解应是三极管区抛物线增加，饱和区线性增加。

拉师傅解释：假设L’与VDS是比例相关，并引入了参数λ组成函数，为了得到1/L'=1/(L-ΔL)=（L+ΔL)/(L²-Δ²L)，其中ΔL因为是高阶较小的数可能就被忽略了，近似为1/L'≈（1+ΔL/L）/L，同时引入参数λ，假设了ΔL/L=λ*VDS，则得到公式

ID=1/2 * un*W/L*Cox*(Vgs-VTH)*(1+λ*VDS)