电 压 基 准 是 模 拟 与 混 合 系 统 的 基 本 功 能 模块 , 基 于 正 、负 温 度 系 数 补 偿 原 理 而 获 得 的 带 隙电 压 基 准 , 具 有 与 温 度 、电 源 电 压 和工 艺 漂 移 近似无关的特性, 并在高性能电源管理和数模转换接口等各类电路中获得广泛的应用。然而, 常规的 带 隙 基 准 为 固 定 的 近 似 1.2V 电 压, 无 法 自由调节基准电压的数值, 在亚 1V 电源供电的电子 产 品 中 , 以 及 需 要 多 种 基 准 数 值 的 场 合 , 对 低压基准的需求更为迫切。

N是Q2与Q1发射级面积比值

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一种新的可以解决低压供电问题的电压基准通过产生一个与温度无关的电流，并使它的镜像通过一个电阻，以此产生出一个低于1V的输出电压。但是由于电路拓扑结构中MOS电流镜的存在，这种基准在平带下有着较高的噪声输出。另外一种通过不同MOS器件的阈值电压加权所产生的低压基准，则使用一个外置的滤波电容来减小噪声。可是这种方法也难以实现，因为所需要的滤波电容太大（超过100nF），以至于很难被集成到芯片里。 除此之外，由于会增加系统的成本和体积，我们应当尽量避免使用外置零件。

下图是电流模式基准

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