日志
varactor 原理 仿真 与 选型
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正在讨论的问题（——代表已暂时有结论）：mos varactor的电容与偏压的关系、CV特性是否可以应用于高频、CV特性是否可以应用于大信号、varactor版图注意点（衍生问题：仿真与测试一致性）
Mos varactor 被广泛用作CMOS RF压控振荡器谐振电路中的调谐(调频)元件，在准静态下的CV特性如图（来源 Chenming Hu 《Modern Semiconductor Devices for integrated circuits》）。平带条件等不在这里讨论，结论是在MOS晶体管中一般存在PN结，N型区可以提供电子使Qinv跟上交流信号变化，所以这条曲线可以认为是任何频率下的MOS晶体管CV特性。
可以在仿真中验证CV曲线，基础设置如下：
仿真结果如下图，与前文一致，随着vg增加经过积累区-耗尽区-反型区，varactor一般工作在积累区到vfb或vfb到反型区，以获得单调的容值，具体偏压会按照线性度或者其他有源器件的偏置选取。
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