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驱动芯片退饱和保护(DESAT)应用指导
https://www.ti.com.cn/cn/lit/an/zhcadl7/zhcadl7.pdf
http://www.sillumin.com/files/datasheet/%E5%BA%94%E7%94%A8%E7%AC%94%E8%AE%B0_DESAT%E4%BF%9D%E6%8A%A4%E5%A4%96%E5%9B%B4%E5%99%A8%E4%BB%B6%E7%9A%84%E8%AE%BE%E8%AE%A1.pdf
米勒钳位
《大功率IGBT驱动保护电路的设计--孙建民》
保护场景:当 IGBT 开始关断时,栅极电压开始下降,当栅极电压下降到小于集电极电压时,IGBT 进入线性工作区。由于栅极与集电极之间的米勒电容的存在,当栅极电压下降到小于集电极电压时,米勒电流通过给米勒电容充电使栅极电压下降缓慢,关断延时,如果此延时较长,超过了上下桥臂驱动输出的死区时间,这将导致上下两管同时开启,从而引起短路。为了消除这种延时,米勒钳位电路在栅极电压下降到低于集电极极电压时将驱动电路的输出即栅极电压直接接地,从而将器件的关断,消除关断延时。