IPG20N10S4L-35是双N沟道增强型MOSFET，采用TDSON-8封装（5×6mm尺寸），适用于汽车电子领域。以下是关键参数：

技术：MOSFET（金属氧化物）

配置：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 16µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：17.4nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1105pF @ 25V

功率 - 最大值：43W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：PG-TDSON-8

IPG20N10S4L-35应用

该器件通过AEC-Q101认证，符合汽车级可靠性标准，适用于功率模块、电机控制等场景。

明佳达 — IPA057N06N3G OptiMOS ™ 60V功率器件 - IPG20N10S4L-35 双 N增强型MOSFET，XC6SLX100-3FGG484C（FPGA）

IPA057N06N3G OptiMOS ™ 60V 是服务器、台式机和平板电脑充电器等开关模式电源 (SMPS) 中同步整流的完美选择。此外，这些设备还可用于广泛的工业应用，包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。

描述：IPA057N06N3G MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31

参数

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.7 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 58µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：82 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6600 pF @ 30 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：38W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

典型应用

IPA057N06N3G适用于工业控制、汽车电子等需要高电流驱动的场景，需注意其栅极电荷参数（82nC）可能对驱动电路设计有影响。

XC6SLX100-3FGG484C是一款Spartan-6 LXT系列FPGA芯片，采用45nm工艺，具备高性能和低成本优势，适用于工业控制、通信、图像处理等领域。

参数

LAB/CLB 数：7911

逻辑元件/单元数：101261

总 RAM 位数：4939776

I/O 数：326

电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V

安装类型：表面贴装型

工作温度：0°C ~ 85°C（TJ）

封装/外壳：484-BBGA

供应商器件封装：484-FBGA（23x23）

应用场景

XC6SLX100-3FGG484C通过编程可实现不同功能，典型应用包括：

‌工业控制‌：PLC、工业自动化中的信号处理与高速数据传输；

‌通信领域‌：数字信号处理、调制解调器、网络协议处理；

‌图像处理‌：视频压缩、图像滤波等。