QCPL-A58JV-500E是一款专为汽车应用而设计的高压光电 MOSFET。QCPL-A58JV-500E 由一个 AlGaAs 红外发光二极管 （LED） 输入级组成，该输入级与高压输出检测器电路光耦合。该检测器由高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于打开/关闭两个分立高压 MOSFET。光电 MOSFET 通过输入 LED 以 7 mA 的最小输入电流接通（触点闭合）。光 MOSFET 在输入电压为 0.4V 或更低时关闭（触点打开）。此外，QCPL-A58JV-500E器件采用 16 引脚 SOIC 封装。

明佳达提供专为汽车应用设计的QCPL-A58JV-500E【MOSFET】XA7Z020-1CLG484Q/LS1046ASE8T1A【汽车电子】

QCPL-A58JV-500E具有以下主要特性：

紧凑型固态双向信号开关

符合 AEC-Q101 测试指南

汽车温度范围：

– TA = –40°C 至 +105°C（对于 QCPL-A58JV）

– TA = –40°C 至 +125°C（对于 QCPL-A58JT）

击穿电压，BVDSS： IDSS = 250 μA 时为 1500V

雪崩级 MOSFET

低断态泄漏：

– QCPL-A58JV 在 VDS = 1000V 时 IOFF < 1 μA

– QCPL-A5JT 在 VDS = 5V 时 IOFF <为 1000 μA

导通电阻， RDS（ON） < 250Ω at ILOAD = 10 mA

 开启时间： TON < 4 ms  关闭时间： TOFF < 0.5 ms  封装： 300 mil SO-16  爬电距离和间隙 ≥ 8 mm （输入-输出）  爬电距离 > 5 mm （ MOSFET 的漏极引脚之间）

安全和监管批准：

– IEC/EN/DIN EN 60747-5-5

– 最大工作绝缘电压 1414 VPEAK

– 5000 VRMS，持续 1 分钟，符合 UL1577 标准

– CSA 组件验收

应用领域

电池绝缘电阻测量/漏电检测

用于传感电池的 BMS 飞跨电容器拓扑

XA7Z020-1CLG484Q是车规级Zynq-7000系列SoC芯片，采用双核arm架构与Artix-7 FPGA集成方案。该器件具有以下关键参数：

核心‌：采用双核ARM Cortex-A9处理器

数据总线宽度‌：32位

最大时钟频率‌：667 MHz

缓存‌：L1缓存指令存储器32 kB，L1缓存数据存储器32 kB；L2缓存指令/数据存储器512 kB

电源电压‌：1 V

工作温度范围‌：-40°C至+125°C

存储类型‌：支持DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2

接口类型‌：CAN、Ethernet、I2C、SDIO、SPI、UART、USB

I/O数量‌：130个I/O端口，I/O电压范围1.2 V至3.3 V‌

关于应用场景：

XA7Z020-1CLG484Q广泛应用于汽车电子、工业控制、通信设备等领域。其高性能和丰富的接口支持使其在需要高集成度和实时处理能力的系统中表现出色。例如，该器件常用于ADAS（高级驾驶辅助系统）中的深度学习视觉感知和激光雷达感知，提供高达2.6 GOPS的峰值计算性能和3335 Dmips的ARM处理能力‌。

LS1046ASE8T1A处理器将四核64位Arm® Cortex®-A72与数据包处理加速和高速外设相集成。该处理器与LS1023A、LS1043A和LS1088A SoC引脚兼容，为64位Arm提供从双核A53到八核A53再到四核A72处理器的扩展性能，同时保持硬件和软件的兼容性。

基本参数

核心处理器‌：ARM Cortex-A72

内核数量‌：4核

数据总线宽度‌：64位

最大时钟频率‌：1.8 GHz

存储类型‌：DDR4

接口类型‌：I2C、JTAG、PCIe、QSPI、SATA、USB‌

L2缓存指令/数据存储器‌：2 MB

LS1046ASE8T1A微处理器广泛应用于各种需要高性能计算的应用场景，包括但不限于：

‌5G CPE‌：由于其高性能和丰富的接口支持，LS1046ASE8T1A非常适合用于5G通信设备。

‌嵌入式系统‌：其强大的处理能力和多种接口支持使其在各种嵌入式系统中表现出色。

‌工业控制‌：在需要高可靠性和高性能的工业控制系统中也有广泛应用。