一、准备文件

1. 在总盘home2017的project中创建项目文件夹yx50061，该项目所有电路与版图都保存到此处。home2017的fab文件夹中保存所用的PDK文件。

2. 在home2017/project/yx50061/yx50061_lay 中写入总的cds.lib：

   ①INCLUDE /home2017/project/fab/Dongbu/DPDK_IC6p1_1830bd15ba_Rev3p9p0_1_1P4M_40K/DPDK_IC6p1_1830bd15ba_Rev3p9p0_1/cds.lib

   INCLUDE 所用PDK的cds.lib地址 
   

   ②INCLUDE /home/opt/cadence/ic617/share/cdssetup/cds.lib

   INCLUDE 软件cadence的cds.lib

   ③DEFINE basic_db_1830bd15ba_s /home2017/project/yx50061/yx50061a/Analog/basic_db_1830bd15ba_s

   DEFINE 电路所用单元库地址

   ④DEFINE yx50061a_sch /home2017/project/yx50061/yx50061a/analog/yx50061a_sch

   DEFINE 模拟电路库的地址

   ⑤DEFINE yx50061a_dig_lay /home2017/project/yx50061/yx50061a/layout/yx50061a_dig_lay

   DEFINE layout所有文件要保存的地址

3. 在home00中自己的文件夹中创建该项目的文件夹，写入cds.lib

   ①INCLUDE /home2017/project/yx50061/yx50061a/layout/cds.lib

   调用总文件夹中的cds.lib

   ②DEFINE DBH_ESD_lay /home/laizx/project/yx11072/DBH_ESD_lay

   调用ESD库

   ③DEFINE yx50061a_sch_yxh /home2017/youxiaohua/Project/project1/yx50061a_sch_yxh

   调用项目电路的库

4. PDK中的DRC、LVS文件需要根据项目需求打开一些语句。

   ①copy原版.drc文件到自己的文件夹中，并重命名加上金属层信息..1P4M_40K。

   ②打开DRC指令：

     #DEFINE TOP_THICK_MET_40K                    // Top Thick Metal(AlCu 40K) option

     #DEFINE skip_HighVoltage_Metal_Spacing_rule_check

     #DEFINE opt_SemiWide_Metal_Spacing_rule_check        // 10S10c, 12S12c, 14S14c, 16S16c, 18S18c

     #DEFINE opt_Top_Thick_Metal_Corner_rule_check        // 20S20i, 20S20j

     #DEFINE opt_Top_Thick_Metal_Slot_rule_check            // MS.Rk

   ③打开LVS指令：

     #DEFINE TOP_THICK_MET_40K //40K Top Thick Metal option

     #DEFINE Res_WL_Compare

二、查看系统设计文档(Design Specification)

1. 耐压，既输入电压范围。如8V-30V，则芯片耐压为30V.

2. 过流，即输出电流。如0.5A

3. 封装类型。如SOP8。

4. 引脚定义。

5. 设计基本准则。

6. 工艺信息。fab/0.18um/1P4M/Al Thick 40K/Scribeline 60um/pad size 75*75

7. 工艺器件选用表。

8. 封装打线要求。

三、功率管

1. 电路会给出整数的W，版图根据实际摆放调整W。

2. 功率管上放几个PAD、每个管脚打几根线要满足阻值要求，由电路计算并在设计文档中写明。

3. 计算功率管过流、最窄处金属（最小过流处也要能过最大电流）、孔的数量。

4. 在ES文档中查看所用功率管的电气参数，核对耐压是否足够。

5. 由于功率管在芯片中占大面积，设计完功率管+隔离环后可以大致定下chip的宽高。

6. SKILL有绘制梯形金属的指令，load("/home/laizx/skill/zigzag_V2.il") ;"Ctrl<7>"

7. 金属长宽超过35时要开窗。
   

四、ESD管：

1. 直接接PAD的器件有被ESD冲击的风险，所以FAB厂提供了可以抗ESD冲击的器件，被称为ESD器件。常用的ESD器件有电阻、二极管、BJT管、MOS管、可控硅等，由于MOS管和CMOS工艺兼容性好，因此常采用MOS管构造保护电路。

2. CMOS工艺的NMOS管有一个横向寄生的NPN晶体管（源极-P型衬底-漏极），这个寄生晶体管开启时能迅速泄放ESD电流（小电流时正常过，大电流时开启释放电流）。

   正常情况下，寄生NPN不会导通，但ESD发生时（有大电流经过），漏极和衬底的耗尽区发生雪崩击穿，并伴随着电子空穴对的产生。一部分产生的空穴被源极吸收，其余流过衬底。由于衬底电阻Rsub存在，使衬底电压提高。当衬底和源极之间PN结正偏时，电子就从源极发射进衬底，寄生BJT开启。NPN开启后电流通路成为低阻通路，虽然电流变大，但电压瞬间降低。

3. ESD保护电路一般设计在I/O电路的PAD旁，以建立一个低阻旁路，把ESD电流从PAD导入芯片内部，通过电压线分布到各个管脚，从而降低ESD对电路的影响。因此，所有与PAD直接相连的器件都需要配备相应的ESD保护措施 。
   

4. 确定ESD器件的耐压等电器参数，根据电路和PAD位来布局，并注意ESD之间的间距。
   

5. 最远处ESD到地的走线阻值不超过1Ω，要就近布局，所以通常GND要摆在芯片相对中间的位置，避免ESD线阻值过大。走线太远时要加宽金属，减小阻值。

五、定基本单元