1,关于MOS管衬底接源极还是VDD/GND?
原帖:弱弱的求教一个问题,对于pmos管,衬底有时候与源级相连,有时候不连,为何啊
http://bbs.eetop.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=403272&fromuid=1622169
(出处: ET创芯网论坛(EETOP) )
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对于输入对管是pmos,如果把衬底和源电位接在一起,噪声,PSRR,CMRR会比较好,拉扎维P388页有讲;另外,阈值电压会比较低(衬偏效应小),所以输入共模范围可以比较大;也有一点坏处,你需要一个单独的n阱,因为你这个pmos的衬底并非最高电位VDD,当然不能与其它pmos放一个阱里,要多点面积(其实也不在乎这点面积了)。
如果衬底接VDD,就没有上述的优点了,当然用一个n阱就可以了。一般要求不高的就这样接(高压工艺可能会有变化)。