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拉扎维-模拟CMOS集成电路设计，2nd（6-1）

热度 3已有 2019 次阅读| 2017-2-15 14:38 |个人分类:专业基础|系统分类:硬件设计

天气: 霾

心情: 平静

字不好看，哎，幸好自己能看懂。我是在实验室扫描成图片后上传的，这样要比在编辑器敲字节约时间，点击图片可以放大看，其中有些公式待推导，以后会补上。

我觉得今日读书学到以下几点：

（1）密勒定理成立是有条件的，单通路不一定成立；

（2）密勒近似可能导致零点的缺失或多余极点；

（3）密勒近似不能用来求解输出阻抗，求解近似输入阻抗是可以的；

（4）低压设计，MOS的fT将减小；

（5）构成“环路”的三个电容，其实只表现出两个极点的二阶响应；

（6）主极点近似法；

（7）密勒近似失效的原因（负载电容过大！）；

（8）计算零点的一种简便方法。

==============以下是图片格式读书笔记=============