日志
关于SRAM的读写总结（主要是读）
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关于SRAM怎样读写的帖子和教程网上已经很多了，无非就是根据时序图和硬件电路，去产生控制信号（即片选信号、读写控制信号）， 这里就不详述了。这里主要是介绍两种读SRAM的方法。一种是顺序读取法（根据存入的顺序依次读取），另一种是随机读取法（即想读哪个地址就读哪个地址）。
1：顺序读取法
根据读时钟产生地址，该地址从地址0依次递加，直到把存入的数据读完；
例子：假如读取256个地址则，reg [7:0] rd_addr (读地址) , reg rd_addr_en(读地址使能), rst（复位信号） ,rd_clk（读时钟）;
always @ (posedge rd_clk) begin
if(!rst)begin
rd_addr <= 8'd0;
rd_addr_en <= 1'b0;
end
else begin
if(rd_addr == 8'd255)begin
rd_addr <= rd_addr;
rd_addr_en <= 1'b0;
end
else begin
rd_addr <= rd_addr + 1'b1;
rd_addr_en <= 1'b1;
end
end
end
2 : 随机读取法
所谓随机读取法就是根据需要读取存在SRAM中任意地址的数据，比如说我想取出地址100/131/208/19里面的数据，那要怎么做呢？reg [7:0] rd_addr (读地址) , reg rd_addr_en(读地址使能), rst（复位信号） ,rd_clk（读时钟）;
（1）：先设一个计数器 reg [2:0] cnt;因为要取四个数所以计数计0/1/2/3.
always @ (posedge rd_clk) begin
if(!rst)begin
cnt <= 3'd0;
rd_addr_en <= 1'b0;
end
else begin
if(cnt == 3'd3)
cnt <= cnt;
rd_addr_en <= 1'b0;
else
cnt <= cnt + 1'b1;
rd_addr_en <= 1'b1;
end
end
（2）：用case语句产生所需要的地址
always @ （*）begin
case（cnt）
3'd0 : rd_addr = 8'd100;
3'd1 : rd_addr = 8'd131;
3'd2 : rd_addr = 8'd208;
3'd3 : rd_addr = 8'd19;
default : rd_addr =8'd0;
endcase
end
以上就是两种基本的产生SRAM读地址的方式，经过板上调试好使。
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发表评论 评论 (1 个评论)
- 回复 qingwatiaowu
- 这里用的是同步复位的电路。相比异步复位有啥优缺点？
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