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NMOS 与PMOS器件的比较

热度 2已有 5425 次阅读| 2016-5-12 14:18

　　我第一份工作面试时候，一位工程师问我的第一个问题就是，说说NMOS和PMOS的区别，下面我就根据自己的理解来谈谈，希望能给初入工作岗位的人带来一些帮助，如果有不足的地方还请各位多多提醒和完善：

　　1、首先，单从性能上讲，pmos的性能不及nmos。因为nmos的导电沟道中载流子是电子，而pmos导电是空穴，电子的迁移率是空穴迁移率的2.5倍左右，导致了电子的电流驱动能力和跨导高于空穴。这里多说一句，迁移率是单位电场内载流子的运动速度。

2、另外，对于给定的器件尺寸和偏置电流，nmos晶体管呈现出较高的输出阻抗，为放大器提供了更加理想的电流源和更高增益。所以人们更加倾向与采用NFETs而不是PFETs。

3、最后，我们要意识到一个问题，不是说pmos就一无是处了，在实际的CMOS工艺中，我们常常采用nwell工艺，在p-sub上形成很多相对灵活的局部衬底nwell作为pmos的衬底，所以，对于pmos来说，这种灵活性也经常被利用。

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