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STT-MRAM非易失性存储器技术优点

已有 1456 次阅读| 2019-12-17 14:56 |个人分类:everspin非易失性MRAN|系统分类:嵌入式| everspin, MRAM, STT-MRAM

到目前为止，设计人员可以使用的存储技术是易变的，这意味着在断电后，存储器中的数据内容会丢失。但是，随着EVERSPIN Technologies推出256Mb STT-MRAM，系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。

图1：STT-MRAM

STT-MRAM代表自旋转移转矩磁阻随机存取存储器。写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的，不需要任何电池或超级电容器。通过写入存储阵列来捕获数据，该存储阵列可利用极化电流控制电子自旋。 STT-MRAM的性能类似于DRAM，但不需要刷新。当前可用的接口是ST-DDR3，它与标准JEDEC DDR3非常相似。将来还将提供ST-DDR4接口，从而带来更高的速度和更大的容量。

STT-MRAM技术的一些优点是：

•非易失性数据

•性能特征类似于DRAM

记忆

•十亿次以上的数据耐久性

•DDR3兼容封装和未来的DDR4

兼容的脚印

•ST-DDR3接口和将来的ST-DDR4接口

•字节读写（无块）

STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM 的二代产品。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ，由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成，它是通过自旋电流实现信息写入的