集成电路发展简史
1——1.1世界集成电路的发展历史
　　1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；
　　1950年：结型晶体管诞生；
　　1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；
　　1951年：场效应晶体管发明；
　　1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；
　　1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；
　　1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；
　　1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管；
　　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；
　　1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；
　　1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；
　　1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；
　　1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现；
　　1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明；
　　1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；
　　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世；
　　1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；
　　1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC；
　　1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世；
　　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
　　1985年：80386微处理器问世，20MHz；
　　1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（ULSI）阶段；
　　1989年：1Mb DRAM进入市场；
　　1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0.8μm工艺；
　　1992年：64M位随机存储器问世；
　　1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺；
　　1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺；
　　1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺；
　　1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺；
　　2000年: 1Gb RAM投放市场；
　　2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺；
　　2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。

　　1——1.2我国集成电路的发展历史
我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：
　　1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；
　　1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；
　　1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。




1——2  集成电路产业现状


1——2.1世界集成电路产业现状

90年代 asic、ULSI和巨大规模集成GSI等代表更高技术水平的IC不断涌现，并成为IC应用的主流产品。1 G DRAM (集成度2.2?109，芯片面积700mm2，特征尺寸0.18μm，晶片直径200mm) ，2000年开始商业化生产，2004年达到生产顶峰。集成电路的规模不断提高，cpu(P4)己超过4000万晶体管，DRAM已达Gb规模。集成电路的速度不断提高，采用0.13μm CMOS工艺实现的CPU主时钟已超过2GHz，实现的超高速数字电路速率已超过10Gb/s，射频电路的最高工作频率已超过6GHz。由于集成电路器件制造能力按每3年翻两番，即每年58％的速度提升，而电路设计能力每年只以21％的速度提升，电路设计能力明显落后于器件制造能力，且其鸿沟(gap)呈现越来越变宽的趋势。工艺线建设投资费用越来越高。目前一条8英寸0.35μm工艺线的投资约20亿美元，但在几年内一条12英寸0．09μm工艺线的投资将超过100亿美元。如此巨额投资已非单独一个公司，甚至一个发展中国家所能单独负担的。21世纪集成电路复杂度不断增加，系统芯片或称芯片系统SoC (System-on-Chip)成为开发目标、纳米器件与电路等领域的研究已展开。英特尔曾于2003年11月底展示了首个能工作的65纳米制程的硅片，Intel2004 年8月宣布，他们已经采用65纳米，生产出了70Mbit的SRAM。并计划于2005年正式进入商业化生产阶段。使用65纳米制程生产的芯片中门电路的数目是90纳米制程的1/3。SRAM（静态存储器）将用于高速的存储设备，处理器中非常重要的缓存就是采用SRAM。Intel

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