1) type：MOS 管类型，可能值为 n 或 p。
2) region：MOS 管的工作区域，可能值为 0~4，分别对应：
表 B- 3 MOS 管工作区域的数字表示
Region 工作区
0 关断
1 线性区
2 饱和区
3 亚阈值区
4 击穿

3) reversed：MOS 管是否反向，可能值为 yes 或 no。
4) ids (A)： 阻性漏源电流
5) lx4 (A)： ids 的别名，当 MOS 管反向时有相反的符号。
6) lx50 (A)：衬源电流。
7) vgs / lx2 (V)：栅源电压。
8) vds / lx3 (V)：漏源电压。
9) vbs / lx1 (V)：衬源电压。
10) vth (V)：有效阈值电压。
11) lv9 (V)：vth 的别名。
12) vdsat (V)：漏源饱和电压。
13) lv26 (V)：平带电压（Flat-band voltage）。
14) lv10 (V)：vdsat 的别名。
15) gm / lx7 (S)：共源跨导。
16) gds / lx8 (S)：共源输出跨导。
17) gmbs / lx9 (S)：衬底跨导。
18) betaeff (A/V2)：有效 β 值。
19) cjd / lx29 (F)：漏区衬底结电容。
20) cjs / lx28 (F)：源区衬底结电容。
21) lx12 (Coul)：衬底电荷（Qb）
22) lx14 (Coul)：栅极电荷（Qg）
23) lx16 (Coul)：漏区电荷（Qd）
24) lx24 (Coul)：漏区 PN 结电荷。
25) lx26 (Coul)：源区 PN 结电荷。
26) cgg / lx18 (F)：dQg_dVg
27) cgd / lx19 (F)：dQg_dVd
28) cgs / lx20 (F)：dQg_dVs
29) cgb (F)：dQg_dVb
30) cdg / lx32 (F)：dQd_dVg
31) cdd / lx33 (F)：dQd_dVd
32) cds / lx34 (F)：dQd_dVs
33) cdb (F)：dQd_dVb
34) csg (F)：dQs_dVg
35) csd (F)：dQs_dVd
36) css (F)：dQs_dVs
37) csb (F)：dQs_dVb
38) cbg / lx21 (F)：dQb_dVg
39) cbd / lx22 (F)：dQb_dVd
40) cbs / lx23 (F)：dQb_dVs
519

41) cbb (F)：dQb_dVb
42) ron()：导通电阻。
43) id / i1 (A)：漏端电流。
44) is / i3 (A)：源端电流。
45) ibulk / i4 (A)：衬底电流。
46) lx5 (A)：源端 PN 结电流。
47) lx6 (A)：漏端 PN 结电流。
48) pwr (W)：处于工作点时的功耗。
49) gmoverid (1/V)：Gm/Ids
50) lv36 (F)：栅源交叠电容。
51) lv37 (F)：栅漏交叠电容。
52) lv38 (F)：栅衬底交叠电容。
53) lx10 (S)：漏区二极管跨导。
54) lx11 (S)：源区二极管跨导。