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中国的光刻技术发展的一点想法

热度 29已有 2150 次阅读| 2023-9-15 21:35 |个人分类:行业|系统分类:芯片设计

事实上,一片wafer需要几十次光刻,搞成光刻厂的话,不可能每到光刻工序就转场。

其实很多工序之间是有时间要求的,光刻厂并不现实...


不过,我倒是觉得,未来国内的Foundry可以分工成前段工艺和后工艺...


1~2家A厂:前段工艺:从原始wafer,一直做到Metal层之前,这样需要高级光刻机的工序就差不多走完了...

优势1:统一购买Raw wafer,有量的优势。

优势2:可以同时开很多光刻线,8寸,12寸或更大的wafer,充分利用光刻能力。

优势3:集中IC市场上高端芯片的量,有生产量的优势。


NB厂:后段工艺:做所有Metal层,钝化等。

优势1:设备成本大为降低,不需要高端光刻机。

优势2:生产周期大节省,周转快。


X家Design house:

数据非常安全:A厂只有前段数据和Mask,B厂只有后端数据和Mask。

生产安排非常灵活:根据市场预期在A厂投片,Hold。更加实际市场需求在B厂快速生产。

风险降低:避免资金积压,或者避免产品全砸在手里了。


最好给A厂再专门配置一个核电站,这样一举多得,呵呵。






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刚表态过的朋友 (14 人)

发表评论 评论 (6 个评论)

回复 xdf666 2023-9-17 21:24
好主意
回复 PN_Allen 2023-9-20 10:01
后段最开始的几道也是需要很高精度的光刻,甚至比前段要求更高。而前段除了个别几道,其他光刻不需要高精度。总之对于EUV或者高级DUV的需求不能简单以前后段工艺区分。
回复 churchmice 2023-9-23 16:51
首先,相信什么光刻厂的肯定是脑子有包
自媒体天天喂屎,但是你可以选择不吃屎
其次,你这方法前后工序有关联,也是不现实的
回复 andyfan 2023-10-7 15:01
说明你对先进工艺也是甚至完全没概念;从22nm开始,后端要求的光刻精度就已经不弱于甚至超过前端了。如果还不理解我说什么,可以自己去找个TSMC的7NM的设计规则,看到第三章的FLOW,看看金属层一层需要几张光罩就能理解了。
回复 andyfan 2023-10-7 15:06
PN_Allen: 后段最开始的几道也是需要很高精度的光刻,甚至比前段要求更高。而前段除了个别几道,其他光刻不需要高精度。总之对于EUV或者高级DUV的需求不能简单以前后段工艺 ...
对的,其实OD/POLY,去了这两道,其他前端工艺对光刻的要求远没中后段要求高;老工艺,中端就CONT一道流程,到了FINFET,一个中端就十几道光罩,VD/VG/MD/MP/V0/M0还都是多次曝光,每一个都是2~4张光罩。
回复 Kevin66 2023-10-18 11:46
谁来推动哈哈哈

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