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中国的光刻技术发展的一点想法
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事实上，一片wafer需要几十次光刻，搞成光刻厂的话，不可能每到光刻工序就转场。
其实很多工序之间是有时间要求的，光刻厂并不现实...
不过，我倒是觉得，未来国内的Foundry可以分工成前段工艺和后段工艺...
1~2家A厂：前段工艺：从原始wafer，一直做到Metal层之前，这样需要高级光刻机的工序就差不多走完了...
优势1：统一购买Raw wafer，有量的优势。
优势2：可以同时开很多光刻线，8寸，12寸或更大的wafer，充分利用光刻能力。
优势3：集中IC市场上高端芯片的量，有生产量的优势。
N家B厂：后段工艺：做所有Metal层，钝化等。
优势1：设备成本大为降低，不需要高端光刻机。
优势2：生产周期大节省，周转快。
X家Design house：
数据非常安全：A厂只有前段数据和Mask，B厂只有后端数据和Mask。
生产安排非常灵活：根据市场预期在A厂投片，Hold。更加实际市场需求在B厂快速生产。
风险降低：避免资金积压，或者避免产品全砸在手里了。
最好给A厂再专门配置一个核电站，这样一举多得，呵呵。
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发表评论 评论 (6 个评论)
- 回复 churchmice
- 首先，相信什么光刻厂的肯定是脑子有包
自媒体天天喂屎，但是你可以选择不吃屎
其次，你这方法前后工序有关联，也是不现实的
- 回复 andyfan
- 说明你对先进工艺也是甚至完全没概念；从22nm开始，后端要求的光刻精度就已经不弱于甚至超过前端了。如果还不理解我说什么，可以自己去找个TSMC的7NM的设计规则，看到第三章的FLOW，看看金属层一层需要几张光罩就能理解了。
- 回复 andyfan
- 对的，其实OD/POLY，去了这两道，其他前端工艺对光刻的要求远没中后段要求高；老工艺，中端就CONT一道流程，到了FINFET，一个中端就十几道光罩，VD/VG/MD/MP/V0/M0还都是多次曝光，每一个都是2~4张光罩。
PN_Allen: 后段最开始的几道也是需要很高精度的光刻，甚至比前段要求更高。而前段除了个别几道，其他光刻不需要高精度。总之对于EUV或者高级DUV的需求不能简单以前后段工艺 ...
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