Deep Nwell版图画法

在“几种衬底及隔离的介绍”中已经介绍了triple-well(以下简称TW)与deep-nwell (以下简称DNW)　是存在区别的。本篇则详细介绍 deep-nwell 在版图的具体画法。但无论哪种画法最终形成的deep-nwell是一致的，剖面图如下图所示：

以下简称nwell为NW，pwell为PW，被nwell/deep-nwell包围的pwell为(isolated Pwell)IPW,substrate为Sub.

一、第一种画法(DNW层画在NW层中)

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二、第二种画法(NW层以path的形式包裏DNW层的边缘)

三、不同电位NW

无论是哪种画法，不同电位的NW必须分开。值得注意的是DNW也是N型的，所以不同电位的NW不可以通过DNW相连。

四、不同电位Sub

不同电位Sub画法可以与不同电位NW画法一样（各自独立），当然因为NW电位相同时，一般会将其合并以节省面积，所以图中画在一起的NW电位是相同的。上图右为第二种画法，DNW层可以合并在一起，中间仅以NW相隔即可。

五、MOSCAP

MOSCAP通常可以理解为NMOS制作在NW中，此时NMOS下极板与NW相连，因此电位相同，而且通常接GND，　所以这样的NW也必须与其他NW单独开。

六、RF　MOS管

无论PMOS还是NMOS都会在底部加上DNW以减小Noise造成的影响。

七、其他

还有需要注意的是，有些特殊器件是直接制作在Sub上，对于这些器件是不能，也不可以用DNW将其隔离开的。