新手学版图--几种电阻的画法

刚好Module 部门要画test key 测试新制程对器件的影响，其中就有一部分是画不同类型的电阻。这些电阻有：poly电阻，nwell电阻，pplus电阻 ，nplus电阻。

上图即为这几种电阻的画法，除poly 电阻外，其他三种电阻的画法是值得推敲的。电阻三端分别定义为force ,sense 和sub。我们来分析这三种电阻。

nwell 电阻：

问题1：为什么force ,sense 端要加thin oxide 和nplus?

问题2：为什么要用nplus 而不用pplus？

Pplus 电阻：

问题1：为什么要画在nwell 中？

问题2：为什么 sub 要接高电位？

问题3：为什么电阻中间要用thin oxide 连接？

Nplus 电阻：

问题1：可不可以画在nwell 中？

其实以上问题的重点1是要理解thin oxide 的作用，以及nwell , p+/N+ plus 在制造过程中所处的步骤。thin oxide 可以理解为去除FOX。nwell 在制造的前端就形成了，FOX不会对此造成影响。而P+/N+ plus 会受FOX的影响，如果FOX阻挡的话，wafer 上就不会形成相应的P型 或N型。重点2即是否会出现不正确的导通。

回答完这些问题之后，我们可以联想到加guard ring时的一些情况。就p-sub /nwell CMOS 版图而言，少数载流子guard ring 为nwell + nplus + thin oxide +VDD, 多数载流子guard ring 为 pplus + thin oxide + VSS。讨论当两种guard ring thin oxide 不连续时的不同影响。

显然在thin oxide 断开的地方FOX 阻挡了n+/p+的形成，对于nwell guard ring在断开的地方形成nwell 电阻，但对于以p型为衬底的地方而言这里就完全断开了。由此可见，在加guard ring 的时候应保持thin oxide 连续性。