RCCLAMP的工作原理： 正常状态：VDD通过R对C进行充电，反相器输入端为高电平，输出端为低电平，nmos Fet处于关闭状态，对核心电路无影响 ESD 事件期间： 电容耦合拉低前端电压，当ESD到来VDD被迅速抬升，由于电容C的两端电压不能突变，电容+近似短路，反相器前端电压无法跟随VDD的快速上升，呈低电平状态； ...

Introduction 摩擦起电(triboelectric effect)等导致ESD。 ESD: 具有大量积聚电荷的导体向另一个相对低电势的导体进行放电(ESD event)，两者的电势差可能高达数kV，通过短时间高脉冲样波形冲激电路，只需要一小部分电势差就能够让一个不受ESD保护的电路损毁(栅氧化层击穿、热损毁、金属层融化、金属击穿或者接触孔损 ...

GCNMOS工作原理： 正常状态： NMOS的栅极通过电阻被稳定地拉低到地电位0V，NMOS处于关闭状态，对 对核心电路无影响 ESD事件期间： 电容耦合抬升栅压，当ESD到来VDD被迅速抬升，由于栅 电容Cg的两端电压不能突变，栅极电压 Vg被耦合瞬间抬升； MOS表面沟道形成反型层初始泄放路，此时，NMOS被 ...

运行1patch： ./1patch -pd DDI231 license mkdir -p /opt/Cadence/license 把lincese 放入上面目录 设置bashrc 启动工具

GGNMOS的工作原理： 正常状态：栅极接地（VSS），GGNMOS处于关闭状态，对核心电路无影响。 ESD事件期间： 雪崩击穿，高压ESD脉冲使NMOS的漏衬（darin-substrate）结发生雪崩击穿； 寄生NPN开启，雪崩击穿产生的空穴电流流向沉底（ substrate ）,电流在衬底电阻上形成电压降Vbe； 寄生NPN导通，当Vbe超过0.7V ...

益莱储 (Electro Rent) 将与合作伙伴安立 (Anritsu) 共同参与2025年10月22-24日在台北举办的第 51 届台北国际电子产业科技展暨台湾国际人工智能暨物联网展 (Taitronics x AIoT Taiwan 2025) ， 益莱储展位： J0803a 聚焦三大主 ...

220V 市电给单片机供电方案有哪些？ 前言 单片机作为核心控制芯片，广泛应用于家电，照明，工控，物联网，医疗电子，安防等领域。按照其供电方式主要有从电池取电和从 220V 交流取电两种方式。电池取电直接采用 DCDC/LDO 方式即可。 220V 交流取电给单片机供电的方案较多，需根据实际应用需求选择合适方 ...

在5G通信领域，高速光耦作为关键隔离器件，承担着光模块信号传输与电气防护的双重职责。晶台光电推出的KL6N137型高速光耦，凭借10MBit/s的传输速率与5000Vrms的隔离电压，成为5G基站光模块接口电路的核心组件。该器件采用8引脚封装，集成红外发射二极管与高速光电探测逻辑门，有效隔离高压主电路与低压控制电路，避免 ...

xxx myGroup=car(myId)~figGroup foreach(myFig myList dbAddFigToFigGroup(myGroup myFig) );end for xxx

# -------- 基础概念 ---------- 1. 芯片验证主要分为三个方法：（1）动态仿真：模拟仿真验证（UVM/VIP等）（2）静态仿真：形式化验证 （3）FPGA硬件加速 2. 形式化验证是一种验证方法，而实际应用方向主要有两方面:（1）功能模块的 等价性检查( SEC - Sequential Equivalence Checking )（2）RTL设计的属性验证（FPV ...