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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) › 日志

日志

分享 STI、LOD与WPE概念：减少或避免WPE/STI效应对IP模块设计的影响: baozidepipi 2022-4-26 15:30; 随着深亚微米工艺的发展，CMOS制造工艺对设计的影响也越来越大。在0.18um以前都可以忽略的工艺影响，在工艺一步一步发展的情形下，制造工艺所带来的影响变成了芯片设计中不可忽视的因素。本文诠释了制造工艺的两个重要效应：STI、WPE。通过对两种效应的分析，提出了在芯片设计阶段考虑它们的必要性。特别是针对IP模块级 ...; 4503 次阅读|0 个评论热度 13

分享版图可靠性方面的一些概念: baozidepipi 2022-4-26 15:13; 电迁移 EM(electromigration）电迁移（EM）是微电子器件中主要的失效机理之一，电迁移造成金属化的开路和短路，使器件漏电流增加。在器件向亚微米、深亚微米发展后，金属线的宽度不断减小，电流密度不断增加，更易于因电迁移而失效。因此，随着工艺的进步，EM的评价备受重视。导致电迁移的直接原因是金属原子的移动 ...; 4465 次阅读|4 个评论热度 40

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