日志

分享 MOS管器件Cgs/Cgd/Cgg电容模型与Vds的关系: Xuxans 2023-4-21 20:34; MOS管的Cgs/Cgd/Cgg电容主要由Vgs和Vds控制。其中，Vgs控制着晶体管的打开和关断，影响沟道电荷密度，进而影响电容值。 Vds主要影响source和drain的电荷分配。 Cgs/Cgd/Cgg和Vgs的关系曲线讨论较多，较为明显，此处不做赘述。 Cgd和Vds的关系曲线趋势如下：在VgsVth条件下，随着Vds的增加，Cgd的下降先保持平缓，V ...; 个人分类: FET模型|5256 次阅读|1 个评论热度 36

EDA直播火热报名！半导体器件建模工程实践: 半导体器件模型是连接代工厂和IC设计公司之间的桥梁。器件建模，顾名思义就是对于器件或者电路的电学行为比如电流电压关系，电容电压关系以及S参数和频率关系等等的一个数学描述。器件模型通过PDK的方式集成到仿真工具中..

忆阻器、第三代半导体等半导体材料与器件讲坛(资料+视频）: EETOP联合泰克科技，专门创建了“半导体材料与器件科学”的专题网页，并精心准备了海量的干货素材，涵盖PDF文档、云上讲坛视频。

GMT+8, 2024-4-24 20:57 , Processed in 0.007726 second(s), 3 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

站长推荐 /2