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深n阱

已有 690 次阅读| 2022-10-11 09:57 |系统分类:芯片设计

深N阱(DNW)可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域,里边可以做需要的device,有与外界隔离的作用。于一般的PMOS而言,可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离;而对NMOS而言,它们的well(P-sub)会通过wafer的p-sub short在一起(因为都是P型),相互串扰,互相影响。DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的,因此能削弱相互之间的影响。因为这个阱比一般的N well要深很多,所以称为deep N well。除了电位上的隔离,比如说有好几种地电位(0V、-3.3V、-6V等),一般会把害怕被别的模块影响(reference电路、temperature sensor等)或者怕会去影响别的模块的IP(PLL、OSC等)放在DNW里面。


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