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FS3L200R10W3S7FB11 IGBT7模块基于最新的微型沟槽技术。可降低损耗,提高可控性。
明佳达电子供求FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 /FS3L200R10W3S7FB11 950V 70A IGBT7模块
IGBT 类型:沟槽型场截止
配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):950 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70 A
功率 - 最大值:20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.55V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):31 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies):6.48 nF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-EASY3B
该芯片专门优化用于工业驱动应用。该模块具有更低静态损耗、更高功率密度和更灵活的开关能力。通过提高该电源模块允许的最高工作温度(高达175°C),可大幅提高功率密度。
——特点
LowVCEsat
Trenchstop IGBT7
过载运行温度高达175°C
高功率密度
紧凑型设计
压配触点技术
——应用
辅助逆变器
空调
电机驱动器
伺服驱动器
不间断电源 (UPS) 系统
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