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分享 [ZZ]高K金属栅工艺(HKMG)
wildgoat 2022-11-19 01:28
随着晶体管尺寸的不断缩小,为保证栅控能力,需要维持足够的栅电容,因此要求栅氧厚度继续减薄。然而,当栅氧物理厚度减薄到低于 1.5nm时,由于直接隧道效应指数级增加,器件漏电随之大幅增加,从而导致器件无法实际工作。通过将相对介电常数(Relative Dielectrie Cons ...
个人分类: 工艺|646 次阅读|0 个评论
分享 [ZZ]InGaAs HEMT和硅CMOS集成用于毫米波通信
wildgoat 2021-1-12 14:35
Sachin Yadav, Sang Xuan Nguyen, Fayyaz Singaporewala, Kenneth Lee,Eugene Fitzgerald, Xiao Gong, 新加坡-麻省理工学院低能电子系统研究与技术联盟 自1959年推出集成电路以来,硅一直主导着半导体行业。硅以CMOS的形式极快速地发展着,提供了无与伦比的器件集成密度。 然而,硅并 ...
个人分类: 工艺|1627 次阅读|0 个评论
分享 [ZZ]集成电路中的前道工序(Front end of line, FEOL)和后道工序 Back end of line( ...
wildgoat 2020-4-26 16:21
集成电路是依靠所谓的平面工艺一层一层制备起来的。 对于逻辑器件,简单地说,首先是在 Si衬底上划分制备晶体管的区域(active area),然后是离子注入实现N型和P型区域,其次是做栅极,随后又是离子注入,完成每一个晶体管的源极(source)和漏极(drain)。这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管,又 ...
个人分类: 工艺|4177 次阅读|1 个评论 热度 1
分享 [ZZ] LEF, DEF & LIB
wildgoat 2020-4-11 19:53
by signoff-scribe | Nov 2, 2017 | Random-Blogs | 4 comments Blog Views: 43,312 Author: Ashish Kumar Sharma , Physical Design Engineer, Sign ...
个人分类: 工艺|2829 次阅读|0 个评论 热度 2
分享 芯片减薄
wildgoat 2020-3-16 02:31
参考:微电子制造技术概论
个人分类: 工艺|691 次阅读|0 个评论
分享 [ZZ]SILICIDE、SALICIDE和POLYCIDE
wildgoat 2018-1-29 23:54
首先,这三个名词对应的应用应该是一样的,都是利用硅化物来降低POLY上的连接电阻。 但生成的工艺是不一样的,具体怎么用单独的中文区分,现在我也还没看到相应资料, 就暂且沿用英文的了。 其中,SILICIDE就是金属硅 ...
个人分类: 工艺|4919 次阅读|0 个评论 热度 5
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