日志
- 分享 肖特基二极管
- 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩 写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接 触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是 一种 ...
- 分享 稳压管
- 现在常用的稳压管的主要材料是半导体硅。 在硅稳压管的反向电压击穿区内，电流变化很大，而其电压基本不变。 在小于5V的稳压管，主要是齐纳击穿，大于7V的稳压管，主要是雪崩击穿，在5—7V间，两种击穿同时存在。 要理解稳压二极管的工作原理，只要了解二极管的反向特性就行了。所有的晶体二极管,其基本特性是单向导通 ...
- 分享 晶体管的主要参数
- 主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 ...
- 分享 晶体管开关的作用
- 晶体管开关的作用 控制大功率 现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是； (1)容易关断，所需要的辅助元器件少， (2)开关迅速，能在很高的频率下工作， (3)可得到的器件耐压范围从100V到700V，应有尽有． 几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控 ...
- 分享 双极晶体管
- 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以 ...
- 分享 功率MOSFET管
- 功率MOSFET管 自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如 高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率 范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET(如 SILIConix最近开发的厚度为1.5mm“Little Foot系列)。另外，价格 ...
- 分享 晶体管分类及具体参数
- 晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、 锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分 ...
- 分享 晶体管详解
- 晶体管 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开 关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控 制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch） ...
- 分享 MOS驱动电路
- MOS驱动，有几个特别的应用 1、低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。 2、宽电 ...
- 分享 MOSFET功率损耗
- 从应用上先看一下功率损耗的组成:可以分成导通损耗和开关损耗 MOSFET ...
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