FIB(聚焦离子束)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与 SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。

      FIB 系统除了在芯片加工中的应用外,最重要的一项应用之处就是在芯片设计中,用 FIB可以对芯片中电路进行编辑,也可以从 IC 线路中引出测试点以便进行探针测试。

      1. FIB 对 IC 芯片中电路进行修改。

      用 FIB 对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性修改与测试，以便更快更准确得到验证设计方案.若芯片部份区域有问题,可通过 FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结.FIB 还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间.利用 FIB 修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。

      FIB 不但可以对 IC 顶层金属进行修改，而且对下层金属也可以进行修改,当然,因为FIB 是电子显微镜,只能看到 IC 顶层金属,而对下层金属的修改就要进行精确的定位了。

      2.利用 FIB 从 IC 线路中引出测试点，

     在复杂 IC 线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe station) 或 E-beam直接观测 IC 内部信号.

     十字 PAD 比方形PAD 的好处是十字 PAD 的角比较多,提高固定控针的机率.

      3.FIB 可对 IC 做特定位置的截面分析.

     用 FIB 在 IC 芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。

     伴随着 IC 设计的发展,FIB 在芯片设计中的应用越来越广,FIB 的技术也不不断更新,这既可以节省研发费用,避免不必要的流片,以可以快速寻找芯片电特性缺陷和物理结构缺陷.