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日志

分享 灵动微电子低功耗单片机MM32L0130开发板申请
2022-11-21 17:37
低功耗单片机 MM32L0130 采用的是M0+内核的32位MCU,工作频率高达48兆赫兹,内置64KBFlash,8KBSRAM的高速存储器,内置段码式液晶驱动SLCD,可驱动8x36或4x40个段码,支持COM和SEG引脚重映射,占空比、偏压、帧率和对比度等灵活可调,内置电荷泵可实现在电压下降时依然保持液晶屏清晰,提供LQFP64和LQFP48封装。 ...
个人分类: 灵动微MCU|328 次阅读|0 个评论
分享 灵动微星辰STAR-MC1处理器MM32F52系列已批量供货
2022-11-11 15:31
灵动微 MM32F52系列是采用安谋科技“星辰”STAR-MC1处理器的性能型MCU系列,其处理器采用了Armv8架构,相较于Cortex-M3、Cortex-M4有约20%的单位性能提升,并配备灵动独有的信号间互联矩阵MindSwitch,相较于现有产品全面提升了性能、存储容量、总线架构和外设配置,旨在覆盖更广泛的工业、汽车和IoT应用。 & ...
个人分类: 灵动微MCU|347 次阅读|0 个评论
分享 实现ISSI国产替换的SRAM芯片厂家
2022-10-25 16:25
国产替代是指国内企业生产的产品对国外企业生产的具有一定科技含量的产品的替代。 在价格方面,国内企业比外企具有很多优势,比如更低的劳动力成本,更全的产业链配套,更低的运输成本等。生产同样的产品,国内企业的产品价格天然是有优势的。 ISSI是为汽车,工业和医疗,通信/企业,以及数字消费 ...
个人分类: SRAM|670 次阅读|0 个评论
分享 迈来芯MLX91208可编程电流检测芯片
2022-10-25 15:39
MLX91208是一款可编程的电流检测芯片,采用标准SO-8封装。具有极高的灵敏度。MLX91208可检测由电流所产生的平行于芯片表面的磁感应强度,并提供高速的模拟信号输出,响应时间可达3us。 MLX91208电流检测芯片符合汽车级标准,尤其适用于高达250KHz的隔离式直流,交流以及交直流的电流检测。MLX91208的独特设计 ...
个人分类: 传感器|663 次阅读|0 个评论
分享 JSC济州半导体代理64Mb OctaRAM-JSC64SS
2022-10-25 15:36
OctaRAM在汽车仪表板、汽车信息服务、工业应用和高性能消费类产品(如SSD控制器和显示时序控制器)上是一个非常理想的解决方案。 济州半导体(JSC)专业Low-Power存储器解决方案公司, OctaRAM JSC64SS产品系列承接了自刷新接口的引脚数少、且能够支持高速等特点。 64MbOctaRAM产品是 ...
个人分类: SRAM|652 次阅读|0 个评论
分享 netsol代理4Mb低功耗SRAM存储器S6L4008W1M
2022-10-25 15:34
Netsol是一家位于韩国的无厂内存半导体设计公司,目前的产品有异步快速SRAM、低功耗SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND Flash。主要客户群是工业、商业和通信,以高速、低延迟和低功耗内存设计技术而闻名。 netsol 器件采用6-TR单元先进的CMOS工艺技术制造,专为低功率电路技术而设计,S6L4008W1M SRAM是 ...
个人分类: SRAM|679 次阅读|0 个评论
分享 静态存储器SRAM介绍
2022-9-27 15:19
SRAM是采用CMOS工艺的内存。自CMOS发展早期以来,SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。 SRAM 它实际上是一个非常重要的存储器,用途非常广泛。SRAM数据完整性可以在快速读取和刷新时保持。SRAM以双稳态电路的形式存储数据。SRAM目前的电路结构非常复杂。SRAM大部分只用于CPU内部一级缓 ...
个人分类: SRAM|930 次阅读|0 个评论
分享 256Mb自旋转移扭矩MRAM-EMD3D256M DDR3
2022-9-27 15:07
EMD3D256M DDR3自旋转移扭矩MRAM是一种容量为256Mb(32Mb x 8、16Mb x 16)DDR3的非易失性存储器,可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。能够以高达 1333MT/Sec/Pin的速率进行DDR3操作。符合所有DDR3 DRAM功能,包括设备端接 (ODT) 和内部ZQ校准,但具有数据持久性和极高的写入周期耐久性的优势。采用Spin-Torqu ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|817 次阅读|0 个评论
分享 Everspin代理8位并行接口MRAM-MR4A08BCYS35
2022-8-26 17:12
MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力,以及DRAM的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM具有接近零的静态功耗,较高的读写速度,与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺相兼容等优点,在车用电子与穿戴设备等领域已实现商业化应用,被认为是最有希望的下一代存储器之一。   ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|1597 次阅读|0 个评论
分享 双电源8位I/O并行接口MRAM芯片MR256D08BMA45R
2022-8-18 16:39
MR256D08BMA45R是一款容量为256Kb的磁阻随机存取存储器 MRAM 存储芯片,组织为32x8位字。它支持+1.65至+3.6伏的I/O电压。MR256D08BMA45R提供与SRAM兼容的45ns读/写时序,具有无限的耐用性。 MR256D08BMA45R 的数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|914 次阅读|0 个评论
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