在2019全球闪存峰会上，Everspin作为全球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。

首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势：

1.   非易失性存储器芯片，比传统的SRAM或者DRAM在数据保持方面更强；
2.   芯片容量较大，单颗芯片容量高达1Gb；
3.   采用DDR4接口，带宽可以到2.7GB/s，超强性能；
4.   擦写次数几十亿次！生命周期；
5.   超低延迟；
6.   数据保存期很久：85度高温下数据可以保存10年以上；
7.   数据错误率低；
8.   可靠性强。
 
MRAM可应用在NVMe SSD的下列场景，PCIe SSD、NVMe-oF、全闪存阵列：
 

 
MRAM为NVMe SSD，尤其是QLC做缓存有以下优势：
 

 
采用MRAM之后，NVMe SSD内部的架构发生了以下图片的变化，将MRAM作为数据缓存使用，而FTL映射表存储依然是DRAM：
 

 
数据中心采用NVMe-oF有以下四大优势：
1.   实现低于1微秒的数据传输，跳过内核、跳过主机CPU和内存、可以P2P传输；
2.   把CPU计算任务分摊到专用计算芯片或者存储控制器；
3.   读写带宽更高；
4.   服务器可以更简单、省电，不用昂贵的X86 CPU，用ARM CPU就够了。
 
以下图片是传统的NVMe-oF的数据流，要通过系统内存和CPU再进入NVMe SSD，这样会导致读写延迟比较长。
 

 
如果采用了MRAM作为智能网卡上的缓存，数据就直接通过P2P传输给NVMe SSD，并跳过了系统内存和CPU，大大缩短读写延迟，也大幅提升性能。
 

 
在全闪存阵列的存储控制器中，MRAM可以作为缓存加速，并提升产品性能及可靠性，同时可以不需要额外的电池或者电容。
 

 
未来的数据中心存储长这样？
 
未来以NVMe SSD和NVMe-oF为基础的云存储硬件架构如下图，其中MRAM可以用在网卡缓存、NVDIMM、全闪存阵列加速和NVMe SSD内部。
 

 
Everspin公司专业设计制造嵌入式MRAM和自旋传递扭矩STT-MRAM的领导者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中提供了超过1.2亿个MRAM和STT-RAM产品，为MRAM用户奠定了强大，增长快的基础。Everspin MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用。Everspin代理英尚微电子提供完善的产品解决方案及技术方面支持和指导.