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ram存储器基本概念
ramsun 2020-11-24 17:09
目前的铁路和电力及航空航天等多个行业已纷纷推行系统可靠性分析RAM技术,研发最佳的设备运行维护方案,从而消除设备隐患,避免设备事故发生,降低装置非计划停工次数和设备运行维护费用,促进装置安全长周期运行,具有重要的现实意义。本文主要概括介绍RAM技术的基本概念。 ram 为可靠性(Reliability) ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|78 次阅读|0 个评论
新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式市场
ramsun 2020-11-20 15:49
新兴的记忆已经存在了数十年。尽管有些人已经发现嵌入式技术在商业上取得了一定程度的成功,但它们也落后于离散存储器的高性价比替代方案。尽管具有更高的性能,耐用性和保留性,或者降低了功耗。 磁阻随机存取存储器( MRAM )最早于1980年代开发,并被推广为通用存储器。与其他存储技术不同,MRAM将数据存 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|1391 次阅读|0 个评论
MRAM的存储原理
ramsun 2020-10-21 14:38
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM的存储原理。MRAM单元的结构和目前硬盘驱动器中GMR读取头的自旋阀膜系结构相似,自旋阀的工作机理如下。 1、自旋阀 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|1072 次阅读|0 个评论
NVM是什么?
ramsun 2020-9-15 15:38
非易失性存储器(NVM)是一种计算机即使关闭电源也能够保存已保存数据的存储器。与易失性存储器不同,NVM 不需要定期刷新其存储器数据。它通常用于二级存储或长期一致的存储。 Non-Volatile Memory 非易失性存储器 在数字媒体中非常流行; 它广泛用于 USB 记忆棒和数码相机的存储芯片。NVM消除了对 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|683 次阅读|0 个评论
高性能NRAM存储器的用武之地
ramsun 2020-9-11 17:09
人工智能技术在诸多公共卫生领域的大展身手持续吸引住着大家的眼光。CT影像智能分析系统、智能化配送机器人等人工智能技术及产品充分发挥着巨大的功效,在他们身后都免不了高性能存储器的影子。而伴随着“新基建”的持续升温,业内针对更高性能存储器的要求也愈发急切。 NRAM是一个近些年出現的新东西,它具 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|1137 次阅读|0 个评论
Everspin MR2xH40xDF SPI-MRAM替换赛普拉斯CY15B104QN SPI-FRAM
ramsun 2020-8-26 14:03
pEVERSPIN内存Everspin是设计,制造和商业销售分立磁阻RAM(MRAM)到市场和应用的全球领导者,在这些市场和应用中,数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。MR2xH40xDF是一个4194,304位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备系列,组织为524,288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序,它 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|509 次阅读|0 个评论
非易失性存储器MRAM与FRAM的比较
ramsun 2020-8-18 14:14
“永久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能,可字节寻址的非易失性存储设备。MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)都具有相似的性能优势:低电压运行,长寿命和极高的速度。它们以不同的方式实现这些目标,尽管在每种情况下,创新的材料技术都是性能突破的背后。由摩托罗拉和IBM率先开发的MRAM,通过将某些 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|1012 次阅读|0 个评论
新兴记忆存储器终于出现了吗?
ramsun 2020-8-13 16:21
新兴的内存技术已经出现了数十年,它们已经达到了一个临界点,在更多的应用中它们才有意义。 到2029年,新兴存储器市场的总收入有望达到200亿美元,这主要是通过取代如今效率较低的NOR闪存和 SRAM 等存储器技术,甚至取代DRAM销售额的一部分。随着未来工艺的缩减以及规模经济的提高,它们还将与现有的存储器 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|1421 次阅读|0 个评论
基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案
ramsun 2020-7-10 14:40
在2019全球闪存峰会上,Everspin作为全球 MRAM 存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势: 1. 非易失性存储器芯片,比传统的 SRAM 或者DRAM在数据保持方面更强; 2. 芯片容量较大,单颗芯片 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|675 次阅读|0 个评论
MRAM关键工艺步骤
ramsun 2020-3-31 13:55
非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产,下面英尚微电子介绍关于 MRAM 关键工艺步骤包括哪几个方面. (1)底部电极的形成(参考图1):经由传统图案化与镶嵌工艺形成的底部电极层需要抛光至平坦,并为MTJ堆栈沉积提供超光滑的表面。在这个步骤中,测量和控制底部电极的平滑度对组件性能至关重要,必须控制 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|375 次阅读|0 个评论
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